【产品】N沟道增强型MOSFET AM2302，采用SOT-23S封装，可以承受的极限漏源电压为20V
AM2302是AIT推出的N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。在环境温度为 25℃时，AM2302可以承受的极限漏源电压为20V，极限栅源电压为±10V，可以承受的极限漏极连续电流为2.9A，总功率耗散为1W，结温和储存温度范围为-55℃~150℃，结到环境的热阻为125℃/W；在VDS=10V,VGS=0V, f=1.0MHz时，AM2302的输入电容为300pF，输出电容为120pF。AM2302采用SOT-23S封装，适合用于电池保护或其他开关应用，其引脚分布如图1所示，
图1 AM2302引脚分布
AM2302产品特性
·VDS =20V,ID =2.9A
VGS=2.5V时，RDS(ON) <59mΩ
VGS=4.5V时，RDS(ON) <45mΩ
·高功率和优秀的载流能力
·表面贴装封装
·采用SOT-23S封装
AM2302应用领域
·电池保护
·负载开关
·电源管理
AM2302订购信息
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