改进后的UnitedSiC在线功率设计工具FET-Jet计算器让高难度功率设计变得轻而易举
全球领先的碳化硅功率半导体制造商UnitedSiC宣布 ,已推出FET-Jet Calculator的升级版,这个新版本 (第二版) 显著简化了 SiC FET 和肖特基二极管的选择过程以及所有功率相关结果的分析。该简单易用、免注册的在线工具于3月首次推出,极大地方便了设计人员在不同电源应用和 26 种独特的拓扑结构中进行选择和性能比较。凭借更多可用的拓扑架构,FET-Jet Calculator现在可支持更广泛的功率应用,无论是首次使用 SiC器件的工程师,还是正在为自己的设计寻求最适合和最佳 SiC 器件的经验丰富设计师,都可以方便使用UnitedSiC FET器件。改进后的UnitedSiC在线功率设计工具FET-Jet计算器让为功率设计选择SiC FET和SiC肖特基二极管变得轻而易举。设计工程师只需:
1)从下拉菜单中选择要使用哪种交直流或直流转换器拓扑,或是隔离式还是非隔离式;
2)设置输入、输出、所需功率;
3)选择UnitedSiC提供的系列SiC FET和肖特基二极管。
该工具可以立即计算出整体效率、动态和导通导致的组件功耗以及电流应力水平;甚至可以指定并联器件、多个转换器“支路”和外部散热片性能,以便预测结温。
全新的第2版计算器显著简化了SiC FET和肖特基二极管选择过程,并将各种转换器类型的可供选择的各种拓扑数量加倍,增加到了26个。
FET-Jet中可供选择的转换拓扑
现在,损耗和升温可以显示为柱形图,从而立即直观地表明导通损耗、打开损耗和关闭损耗的占比。一个非常有用的新增功能是为各种器件和驱动电压推荐栅极电阻RGon和RGoff,还提供建议的缓冲组件值以充分控制电压过冲。
FET-Jet计算器中包含的新拓扑还带来了额外选择。例如,交直流区域中的复杂“三电平ANPC电压源换流器”拓扑的计算器允许选择PWM策略:LF middle、HF middle和Max ON,同时还有三种可选调制方案选项:正弦-三角波、空间矢量和不连续的60° PWM。并联器件的数量以及部分拓扑中支路/相的数量都可以无限增加,您可以尝试点击增加数量,看看柱形图如何动态变化,从而感受其优势以及损耗与温度趋势。无需担忧,如果出现了无效选择,计算器会警报。其他新功能包括到零件制作解码器和象征性波形图片的链接,现在还可选择以PDF文件形式下载计算器结果,以留作记录。
FET-Jet计算器第2版现已成为一个更好的器件选择工具,几乎可以立即实现性能可视化,从而支持快速、准确、一次即成功地进行设计。该工具会定期更新,增加UnitedSiC的最新零件,包括在软硬开关拓扑中表现出杰出性能的第四代SiC FET。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 4
本文由董慧转载自UnitedSiC,原文标题为:使用UnitedSiC FET-Jet计算器第2版 – 让您挑战高难度功率设计变得轻而易举,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
评论
全部评论(4)
-
terrydl Lv9. 科学家 2021-11-20学习了
-
luosai Lv8. 研究员 2021-09-09学习
-
titan Lv8. 研究员 2021-08-28学习
-
zwjiang Lv9. 科学家 2021-08-27学习学习
相关推荐
UnitedSiC提供1200V第四代SiC FET,具有出色的热能力,可助力找到您的高压功率设计的亮点
UnitedSiC(现名Qorvo)提供了1200V第四代器件,它们具有一系列导通电阻额定值,可满足通常使用800V总线的各种应用的需要。欢迎用新的1200V第四代SiC FET找到您的高压功率设计的亮点。
原厂动态 发布时间 : 2022-05-25
SiC市场持续高速增长,SiC FET改进的开关性能和导通电阻在电动汽车领域实现更强大的新应用
在Qorvo产品组合中整合UnitedSiC解决方案将涵盖新兴市场的许多应用,主要与能源相关。UnitedSiC和Qorvo强调了继续创建可扩展且增长快速的业务机会,以加快SiC的采用,从而提高支持电动汽车部署的动力总成解决方案的效率。
原厂动态 发布时间 : 2022-04-21
UnitedSiC Rediscovers The Perfect Switch with SiC FETs
Cascading silicon MOSFET and a SiC JFET is dubbed a ‘SiC FET‘ by the manufacturer and technology champion UnitedSiC. It has better figures of merit for overall losses than SiC MOSFETs or GaN HEMT cells.
原厂动态 发布时间 : 2021-07-17
【经验】SiC FET关断时VDS尖峰和振荡问题的解决方法
UnitedSiC的SiC FET能直接替代Si MOSFET,但其高开关速度也可能会使关断VDS电压产生尖峰和震荡,使系统的EMI变差。关断时的VDS尖峰和振荡产生的根本原因是高速开关过程中di/dt在杂散电感上产生了较高的感应电压。本文将给出并对比几种解决方案。
设计经验 发布时间 : 2020-11-02
UnitedSiC SiC FET/SiC JFET/SiC肖特基二极管选型指南
目录- Product introduction SiC FETs SiC JFETs SiC Schottky Diodes
型号- UJ3D06506TS,UJ3D1220KSD,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3C065040B3,UJ4C075023K3S,UJ3D1210KS,UF3N090350,UF3C SERIES,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UJ3N1701K2,UF3N SERIES,UJ3N065025K3S,UJ3N065080K3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3N170400,UF3C065030K4S,UF3N120140,UF3N065600,UF3N170400B7S,UJ3D06510TS,UJ3D06560KSD,SC SERIES,UJ3C065030B3,UJ3D1210K2,UF3SC065007K4S,UF3C120400K3S,UJ4SC SERIES,UF4C120053K4S,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UJ3D1202TS,UF3C065080B7S,UJ3D1220K2,SC,UF3C065080T3S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UF3SC,UF4C120053K3S,UF3C120080K4S,UF3N090800,UJ4C075018K3S,UJ3D1210TS,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ3D06530TS,UJ4C075060K3S,UJ3N SERIES,UJ3N120035,UF4C120070K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC120016K4S,UJ4C SERIES,UJ4C075018K4S,UJ3C065080T3S,UF4SC120030K4S,UJ3N120035K3S,UJ3D06504TS,UJ3C065030K3S,UJ3D1205TS,UF3C065080B3,UJ3N065080,UJ4SC075009K4S,UJ3N120070K3S,UJ4C075033K3S,UF3SC SERIES,UF4C120070K4S,UF3C065030T3S,UJ3D06508TS,UJ3D1210KSD,UJ3D06516TS,UJ3D06512TS,UJ3D1250K2,UJ4SC075006K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120150B7S,UJ3C SERIES,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3D1250K,UJ3D06520TS,UF3SC120009K4S,UF4C SERIES,UJ3N065025,UF3C120080B7S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UJ3C065080K3S,UJ3D1725K2,UJ3N120065K3S,UJ3D,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ3D06520KSD,UF3N065300,UF3C,UF3N,UJ3N120070,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UJ3N,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UJ3D SERIES,UF3SC065040B7S,UF3C065080K4S
UnitedSiC has completed qualification of X-fab as additional 6” SiC epi wafer supplier(23-FINAL)
型号- UJ3D065200,UJ3D1205,UF3N120035P,UJ3D1202,UF3SC120016,UF3N120035Z,UF3SC065040,UJ3N065080,UF3N090350,UJ3N120140,UF3N120140Z,UF3N065006Z,UJ3D1220Z,UF3SC065007,UF3SC065030Z,UJ3D06506Z,UF3N120140,UF3N065006,UJ3D12100,UJ3D1205Z,UF3N120035PZ,UF3SC065030,UF3SC065007Z,UJ3D06510Z,UJ3D06510,UJ3D06530Z,UJ3D065200Z,UF3N120035,UJ3D06508,UJ3D1220,UJ3D1210P,UJ3D1202Z,UJ3N065025,UJ3D12100Z,UJ3D1210Z,UJ3D06504,UJ3D1250Z,UJ3D06506,UJ3N065025Z,UF3SC065040Z,UF3N090800,UJ3D06508Z,UJ3N120035Z,UF3SC120016Z,UF3SC120009,UF3N065300,UJ3D06504Z,UF3N120008Z,UF3SC120040Z,UF3N090350Z,UJ3N120140Z,UJ3D1210,UJ3N065080Z,UF3N090800Z,UJ3D1250,UF3SC120040,UJ3D06530,UJ3N120035,UJ3D1210PZ,UF3N120008,UF3SC120009Z,UF3N065300Z
【经验】电机控制应用中三种不同dv/dt控制方法的比较
在电机控制等部分应用中,放缓开关期间的dV/dt非常重要。速度过快会导致电机上出现电压峰值,从而损坏绕组绝缘层,进而缩短电动机寿命。在本文中,UnitedSiC研发高级工程师比较了三种不同的dV/dt控制方法。
设计经验 发布时间 : 2020-09-17
The 750V Class of UnitedSiC Gen 4 SiC FETS, Responding to Positive Feedback with More Choice
Control engineers want Feedback to be negative with a decent gain and phase margin, but marketeers prefer positive,The 750V Class of UnitedSiC Gen 4 SiC FETS, Responding to Positive Feedback with More Choice.
新产品 发布时间 : 2021-11-25
UnitedSiC Signs an Authorized Distribution Agreement with Sekorm
UnitedSiC(United Silicon Carbide) is a professional silicon carbide (SiC) power semiconductor manufacturer in the United States. It is the only SiC FET manufacturer in the world that is compatible with both SiC and Si drivers.
公司动态 发布时间 : 2021-12-07
【产品】UnitedSiC推出新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET 非常适合主流的800V总线结构
UnitedSiC宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列,这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构,这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源等应用。
新产品 发布时间 : 2022-05-21
UnitedSiC‘s Gen 4 SiC FET Boasts An On-resistance per Unit Area 2~3 Times Better than for The Other SiC MOSFETs
Through a combination of different attributes, Silicon Carbide (SiC) has established itself as the premier semiconductor technology for the electric vehicle (EV) sector – with devices outperforming those based on conventional Silicon (Si). Its advantages include elevated voltage ratings, superior power conversion efficiency levels and the ability to deal with heightened temperatures.On-board chargers (OBCs), DC-DC converters and traction inverters all benefit from SiC, with the ongoing process and architectural enhancements certain to increase its already considerable appeal.
新技术 发布时间 : 2021-07-10
UnitedSiC (now Qorvo) Announces 1200V Gen 4 SiC FETs with Industry-best Figures of Merit
UnitedSiC announced the new 1200V Gen 4 SiC FETs with industry-leading figures of merit in on-resistance.
新产品 发布时间 : 2022-05-19
Unitedsic Expands Schottky Diode Portfolio To Set New Benchmark in SiC Surge Current Robustness
UnitedSiC has announced four new Junction Barrier Schottky (JBS) diodes to complement its FET and JFET transistor products. With the industry’s best surge current performance, the UJ3D 1200V and 1700V devices are part of the company’s 3rd generation of SiC Merged-PiN-Schottky (MPS) diodes.
行业资讯 发布时间 : 2020-11-04
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论