【经验】Vincotech IGBT模块三菱M7晶圆对比英飞凌IGBT4技术对比分析
VINCOTECH针对工业控制领域发布的flow E1/flow E2、MiniSKIIP的新模块采用了最新一代IGBT M7芯片技术，具有卓越的热性能。同时减少供应链问题，可为客户提供更高的效率。本文将详细介绍三菱M7晶圆技术与英飞凌IGBT4晶圆技术对比分析。
一、IGBT技术
对于新的第7代IGBT，三菱电气采用了第6代优化CSTBT结构（载波存储沟道栅双极晶体管）。主要具有以下优点：
1、超薄晶圆加工技术（n-漂移区）；
2、优化单元设计（栅极电容）；
3、超低Vce(sat);
4、低开关损耗；
5、提高安全工作区SOA能力；
6、可以通过优化驱动电阻来减小dv/dt。
图1 第五代/第六代/第七代晶圆技术差异
二、二极管技术
M7二极管采用三菱公司提出的场扩展阴极（Relaxed Field of Cathode，RFC）二极管结构，减小晶圆厚度会带来安全风险，M7二极管采用RFC结构的二极管具有较软的反向恢复特性，较小反向峰值电压随电路杂散电感（Ls）变化。可以有效规避晶圆变薄带来的安全风险。
主要特点：
1、超薄晶圆加工技术（n-漂移层）；
2、优化的背面结构技术（阴极侧）。
带来的性能优势：
1、超低Vf值；
2、较软的反向恢复特性，有效减小反向峰值电压。
图2 二极管第六代/第七代技术差异
三、M7/IGBT4晶圆技术对比
1、在相同的功率损耗下，M7比IGBT4具有更好的EMI性能（较低的dv/dt）
（1）在所有功率范围内，M7显示的电流峰值低于IGBT4。
（2）优化栅极电阻使M7的dv/dt明显低于IGBT4。
（3）降低电流尖峰和模块中的dv/dt，降低EMI滤波器设计的成本和工作量，延长电机寿命。
2、M7具有更多的性能优势可以提高工业驱动产品功率密度
（1）与IGBT4相比，传导损耗更低；
（2）动态损耗优化
（3）这些优化功能使M7能够提供更好的效率，在中等功率范围内具有更好的功率密度，开关频率高达8kHz，在高功率范围内为4kHz。
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