【产品】瑶芯微推出N沟道SGT MOSFET AKG3N015GL，漏源导通电阻最大值可低至1.5mΩ
瑶芯微推出型号为AKG3N015GL的N沟道SGT MOSFET，器件具有极低的导通电阻，同时具有出色的开关特性，特别适用于高效电源管理应用。
最大额定参数值和电气参数方面（TA=25℃），器件漏-源电压最大额定值为30V，持续漏极电流最大额定值高达165A（TC=25℃，封装限制)，栅-源电压最大额定值为±20V，器件耗散功率最大额定值为69W（TC=25℃）。TJ=25℃时，VGS=10V，ID=20A时，器件漏源导通电阻典型值低至1.3mΩ，最大值低至1.5mΩ；VGS=4.5V，ID=15A时，器件漏源导通电阻典型值低至2.2mΩ，最大值低至2.8mΩ；在VDD=20V，ID=20A,di/dt=100A/μS条件下，器件反向恢复电荷典型值低至43.7nC，反向恢复时间典型值低至46.1nS，器件工作温度和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃。器件主要应用于电池管理系统，电机驱动器，DC-DC转换器等领域。
器件特征
低FOM RDS(ON) X QG
超低导通电阻
符合RoHS标准
无卤器件（详细信息，可联系ALKAIDSEMI销售）
器件应用领域
电池管理系统
电机驱动器
DC-DC转换器
最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
热阻值
Note：
1.最大漏极电流额定值受封装限制；
2.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制；
3.L=0.5mH，VDD=15V，IAS=23A，RG=25Ω，TJ=25℃开始
4.贴装在最小PCB板上；
电气参数（TJ=25℃，除非另有说明）
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