【产品】采用SOT-23封装的P沟道增强型MOSFET AM3407A，连续漏极电流为-4.3A

时间： 2021-12-06 来源：AiT

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P沟道增强型MOSFET,AM3407A,AM3407AE3VR,AM3407AE3R

AIT推出的AM3407A是一款P沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则在环境温度为25℃时，AM3407A可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压-30V、栅源电压±20V、连续漏极电流-4.3A、脉冲漏极电流-20A、耗散功率1.5W。工作结温和储存温度均为−55℃∼+150℃。

AM3407A采用SOT-23封装，引脚分布如下图：

描述：

VDS= -30V
VGS= ±20V
ID(A)= -4.3A
当VGS=-10V时， RDS(ON)=38mΩ(典型值)
当VGS=-4.5V时，RDS(ON)=58mΩ(典型值)

AM3407A采用SOT-23封装。

应用：

便携设备

电源管理

负载开关

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