【产品】采用SOT-23封装的P沟道增强型MOSFET AM3407A，连续漏极电流为-4.3A
AIT推出的AM3407A是一款P沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则在环境温度为25℃时，AM3407A可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压-30V、栅源电压±20V、连续漏极电流-4.3A、脉冲漏极电流-20A、耗散功率1.5W。工作结温和储存温度均为−55℃∼+150℃。
AM3407A采用SOT-23封装，引脚分布如下图：
描述：
VDS= -30V
VGS= ±20V
ID(A)= -4.3A
当VGS=-10V时， RDS(ON)=38mΩ(典型值)
当VGS=-4.5V时，RDS(ON)=58mΩ(典型值)
AM3407A采用SOT-23封装。
应用：
便携设备
电源管理
负载开关
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