【产品】性能接近GaN FET的650V SiC MOSFET Falcon系列,调节外部栅极电阻可完全控制dV/dt
即思创意(Fastsic)增强型SiC MOSFET提供的Qoss几乎是性能优异的硅超结MOSFET的1/10,接近GaN FET。导通电阻 @ 100℃时仅比导通电阻 @ 25℃高10%,使其在导通电阻@ 100℃时的 Qoss品质因数(FOM)比GaN更好。
SiC MOSFET的驱动方式与硅功率MOSFET相似,并且可以通过调节外部栅极电阻(Rg,ext)比较简单地完全控制dV/dt。尽管芯片尺寸小得多,但却具备更高的雪崩能量(EAS)密度(接近20J / cm2)使得EAS额定值与先进的硅超结MOSFET相当。
图1
优势与特性
100%雪崩测试
短路鲁棒性
Voss@25c=650V
DPAK@MSL Level-1
电压驱动 (VGs-10-18V)
低限阀泄露 (lg<1nA)
低EMI
应用
工业&消费
图2
图3
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电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
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