【产品】专为需要低正向压降的快速开关应用设计的表面贴装硅肖特基二极管

2018-12-17 Central
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Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的硅肖特基二极管—— CMPSH-3系列（CMPSH-3,CMPSH-3A,CMPSH-3C,CMPSH-3S），环氧树脂模塑，采用SOT-23表面贴装封装，专为需要低正向压降的快速开关应用而设计。其具体实物图如图1所示。

图1.CMPSH-3系列硅肖特基二极管实物图


CMPSH-3系列硅肖特基二极管的峰值重复反向电压VRRM为30V，连续正向电流IF为100mA， 当反向连续电压VR为25V时，其反向电流IR的最大值为500nA，具有低反向电流和较高的反向耐压能力。其系列功率损耗PD的最大值为350mW，功率损耗值极低，还具有较低的正向压降。当正向电流IF为100mA时，正向压降VF的最大值仅为1.00 V。产品封装尺寸、引脚说明以及可参考的焊盘轮廓图如图2所示。

图2.CMPSH-3系列硅肖特基二极管封装尺寸、引脚说明以及可参考的焊盘轮廓图


CMPSH-3系列硅肖特基二极管的峰值正向浪涌电流IFSM为750 mA（tp=10ms），峰值重复正向电流IFRM为350mA，具备较强的抗浪涌冲击能力。其热阻ΘJA为357°C/W，结电容的典型值为7.0pF(VR=1.0V, f=1.0MHz)。工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃，具有耐高/低温的能力，适应性能强，这提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。反向恢复时间较短，时间trr最大值为5.0ns(IF=IR=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω)。另外，其耗散功率与温度均具有负的温度系数，耗散功率对环境温度较为敏感，功率损耗值随着温度的变化而变化。根据设计的需求，可参考功耗温度曲线，通过相应的坐标值，方便产品功耗的设计。具体功率降额曲线如图3所示。

图3.CMPSH-3系列硅肖特基二极管功耗降额曲线



CMPSH-3系列硅肖特基二极管的主要特性：

•重复峰值反向电压VRRM为30V

•正向浪涌电流能力IFSM为750 mA（tp=10ms）

•工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃

•热阻ΘJA为357°C/W

•功率损耗PD为350mW

•结电容的典型值为7.0pF(VR=1.0V, f=1.0MHz)

•反向恢复时间trr最大值为5.0ns(IR=IF=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω)

•SOT-23表面贴装封装

•CMPSH-3：单个标记代码为D95

•CMPSH-3A：两个，共阳极标记代码为DB1

•CMPSH-3C：两个，共阴极标记代码为DB2

•CMPSH-3S：双列，串联标记码为DA5



CMPSH-3系列硅肖特基二极管的主要运用领域：

•低正向压降的快速开关


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