【选型】全桥式电源应用上的超结MOSFET如何选型?

2020-03-02 世强
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全桥式电源比半桥电路提供更高效率,所以它们主要用于大功率应用(超过1kW)。 全桥式电路结构形式中的四个开关管被分成两组,每组中有两个开关管来各自分担一半的直流供电电压,比半桥式电路结构形式的输出功率提高了一倍。因此在一些要求输出功率较高的领域,全桥式开关电源变换技术占有者十分重要的地位。


全桥电路对于功率MOS的要求:

(1)损耗方面,MOS管的损耗直接有导通Rdson决定,需求低Rdson MOS,同时同时中开关频率较高,MOS的开关速度较快,输入寄生电容要足够低;

(2)后端是感性负载,需要二极管反向续流,要求功率MOS 二极管反向恢复特性较好,具有较短反向恢复时间trr。


无锡紫光微提供具有高速快恢复二极管( FRD)的600V-650V MutliEPISJ-MOS 


以3kW DC-DC产品为例:

设计要求如下表:

按照功率计算,全桥LLC MOS M1~M4选型650V TPW65R100MFD(Rdson=0.1Ω):

(1)TPW65R100MFD  650V 耐压,满足最大400VDC输入要求;

(2)TPW65R100MFD在VGS = 10V, ID = 24A条件下Rdson最大100mΩ,导通损耗低;

(3)TPW65R100MFD自带高性能反向二极管,反向恢复时间trr低至170ns,满足全桥电路对于反向恢复特性的要求;

(4)TPW65R100MFD栅极电荷低至24nC,满足高速开关要求。

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