【产品】采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET NCEA6042AG，漏源电压最大额定值为60V
NCE推出一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET——NCEA6042AG，漏源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为42A（TC=25℃）。器件采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻RDS(ON）和低栅极电荷特性，广泛适用于多种应用。
一般特性
漏源电压VDS=60V，连续漏极电流ID=42A
漏源导通电阻RDS(ON)<14mΩ@VGS=10V
漏源导通电阻RDS(ON)<19mΩ@VGS=4.5V
高密度单元设计，可实现超低漏源导通电阻RDS(ON)
全特性雪崩电压和电流
采用出色的封装，具有良好的散热性能
采用特殊工艺技术，具有高ESD能力
最高工作温度175℃
无铅电镀
100% UIS测试
100% ΔVds测试
AEC-Q101合格
应用
汽车应用
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
绝对最大额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）:
电气参数(TC=25℃，除非特别说明)
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.表面贴装在FR4板，t≤10s
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4.由设计保证，不受产品限制
5.EAS条件：Tj=25℃,VDD=30V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω
封装标识及订购信息
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