【产品】采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET NCEA6042AG，漏源电压最大额定值为60V

时间： 2023-03-28 来源：NCE

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NCE推出一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET——NCEA6042AG，漏源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为42A（T_C=25℃）。器件采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻R_DS(ON_）和低栅极电荷特性，广泛适用于多种应用。

一般特性

漏源电压V_DS=60V，连续漏极电流I_D=42A

漏源导通电阻R_DS(ON)<14mΩ@V_GS=10V

漏源导通电阻R_DS(ON)<19mΩ@V_GS=4.5V

高密度单元设计，可实现超低漏源导通电阻R_DS(ON)

全特性雪崩电压和电流

采用出色的封装，具有良好的散热性能

采用特殊工艺技术，具有高ESD能力

最高工作温度175℃

无铅电镀

100% UIS测试

100% ΔVds测试

AEC-Q101合格

应用

汽车应用

电源开关应用

硬开关和高频电路

不间断电源

绝对最大额定值参数（T_C=25℃，除非特别说明）:

电气参数(T_C=25℃，除非特别说明)

注：

1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制

2.表面贴装在FR4板，t≤10s

3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

4.由设计保证，不受产品限制

5.EAS条件：T_j=25℃,V_DD=30V,V_G=10V,L=0.5mH,R_g=25Ω

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