【产品】采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET NCEA6042AG，漏源电压最大额定值为60V
NCE推出一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET——NCEA6042AG，漏源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为42A（TC=25℃）。器件采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻RDS(ON）和低栅极电荷特性，广泛适用于多种应用。
一般特性
漏源电压VDS=60V，连续漏极电流ID=42A
漏源导通电阻RDS(ON)<14mΩ@VGS=10V
漏源导通电阻RDS(ON)<19mΩ@VGS=4.5V
高密度单元设计，可实现超低漏源导通电阻RDS(ON)
全特性雪崩电压和电流
采用出色的封装，具有良好的散热性能
采用特殊工艺技术，具有高ESD能力
最高工作温度175℃
无铅电镀
100% UIS测试
100% ΔVds测试
AEC-Q101合格
应用
汽车应用
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
绝对最大额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）:
电气参数(TC=25℃，除非特别说明)
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.表面贴装在FR4板，t≤10s
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4.由设计保证，不受产品限制
5.EAS条件：Tj=25℃,VDD=30V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω
封装标识及订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky翻译自NCE，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
正芯推出的N沟道增强型MOSFET晶体管RC3134KM3，具有出色的RDS(ON)与低栅极电荷，可用于电源开关
正芯推出的RC3134KM3是N沟道增强型MOSFET晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。该器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。
NCE（新洁能）MOSFET 选型表
NCE（新洁能）为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V,以及100mA至400A的电流选择范围,低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C）其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。推出的TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并大大降低成本，可广泛应用于直流-直流转换,次级侧同步整流器,电机控制等领域。
|
产品型号
|
品类
|
封装/外壳/尺寸
|
车规级/工业级
|
Technology
|
Polarity
|
BVDSS(V)
|
ID(A)
|
VTH(V)
|
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
|
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
|
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
|
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
|
VGS(th)(V)
|
CISS(pF)
|
QG(nC)
|
PD(W)
|
|
NCE12P09S
|
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
|
SOP-8
|
工业级
|
Trench
|
P
|
-12
|
-9
|
-0.7
|
11.5
|
18
|
14
|
22
|
±12
|
2700
|
35
|
2.5
|
选型表 - NCE 立即选型
NCE6005AS N沟道增强型功率MOSFET
该资料介绍了NCE6005AS型号的N沟道增强型功率MOSFET。这款器件采用先进的槽技术设计，具有低导通电阻和高密度单元格设计，适用于多种电源开关应用。
NCE - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,N通道增强模式功率MOSFET,NCE6005AS,HARD SWITCHED,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,硬交换,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,高频电路
NCE0106AR NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE0106AR是一款采用先进沟槽技术的N-Channel增强型功率MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点。该器件适用于多种电源开关应用，包括硬开关和高频电路，以及不间断电源。
NCE - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,N通道增强模式功率MOSFET,NCE0106AR,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用
NCE6050 NCE N沟道增强型功率MOSFET
该资料介绍了NCE6050这款N沟道增强型功率MOSFET的特性。它采用先进的槽栅技术设计，具有低导通电阻和高密度单元格设计，适用于各种电源开关应用。
NCE - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,N通道增强模式功率MOSFET,NCE6050,HARD SWITCHED AND HIGH FREQUENCY CIRCUITS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,硬开关高频电路
NCE82H140 NCE N沟道增强型功率MOSFET
该资料介绍了NCE82H140型N沟道增强型功率MOSFET的特性。这款器件采用先进的槽技术设计，具有低导通电阻和高ESD能力。其主要特点包括：VDS = 82V, ID = 140A，RDS(ON) < 5.2mΩ @ VGS=10V；适用于多种电源开关应用，如硬切换和高频电路。
NCE - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,N通道增强模式功率MOSFET,NCE82H140,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用
FDD3706 N沟道增强型MOSFET
该资料介绍了华轩阳电子（HuaXuanYang Electronics）生产的FDD3706型N沟道增强型MOSFET。这款器件采用先进的槽技术，提供优异的导通电阻和低栅极电荷。它适用于高功率和高电流处理能力，可用于电源开关应用、硬切换和高频电路，以及不间断电源系统。
华轩阳电子 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,N通道增强模式MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,FDD3706,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,HARD SWITCHED CIRCUITS,高频电路,硬开关电路
NCE6050A NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE6050A是一款采用先进沟槽技术的N通道增强型功率MOSFET。该器件具有低RDS(ON)、低栅极电荷，适用于多种电源开关应用。
NCE - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,N通道增强模式功率MOSFET,NCE6050A,HARD SWITCHED AND HIGH FREQUENCY CIRCUITS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,硬开关高频电路
NCE80H12 NCE N沟道增强型功率MOSFET
该资料介绍了NCE80H12NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET的特性、应用范围和相关测试电路。产品采用先进的沟槽技术设计，具有低RDS(ON)、高密度单元设计和良好的热稳定性等特点，适用于汽车应用、硬开关和高频电路等领域。
NCE - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,N通道增强模式功率MOSFET,NCE80H12,HARD SWITCHED AND HIGH FREQUENCY CIRCUITS,AUTOMOTIVE APPLICATIONS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,汽车应用,硬开关高频电路
AP25N06K-Au N沟道增强型MOSFET
本资料介绍了AP25N06K-AU型号的N沟道增强型MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用先进的 trench 技术设计，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于电源开关应用、硬切换高频电路和不间断电源系统。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,AP25N06K-AU,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,UPS,高频电路,HARD SWITCHED CIRCUITS,UNINTERRUPTED POWER SUPPLY,硬开关电路
NCE3095K N沟道增强型功率MOSFET
该资料详细介绍了NCE3095K这款N-通道增强型功率MOSFET的特性。它采用了先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻和高密度单元格设计，适用于多种电源开关应用。
NCE - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,N通道增强模式功率MOSFET,NCE3095K,HARD SWITCHED,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,硬交换,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,高频电路
NCE60H15A N沟道增强型功率MOSFET
NCE60H15A是一款采用先进沟槽技术的N通道增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻（RDS(ON) < 4.0mΩ）、高密度单元设计、全特性雪崩电压和电流、良好的稳定性和均匀性以及优异的热散布能力。适用于电源开关应用、硬切换和高频电路。
NCE - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,N通道增强模式功率MOSFET,NCE60H15A,HARD SWITCHED AND HIGH FREQUENCY CIRCUITS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,硬开关高频电路
AP6026D-Au N沟道增强型MOSFET
该资料介绍了AP6026D-AU型号的N沟道增强型MOSFET。它适用于硬开关和高频电路，不间断电源（UPS）等功率转换应用。资料提供了器件的最大额定值、静态特性、动态特性、开关特性和源极-漏极二极管特性等信息。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,AP6026D-AU,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,UPS,高频电路,HARD SWITCHED CIRCUITS,UNINTERRUPTED POWER SUPPLY,硬开关电路
NCE6020AK N沟道增强型功率MOSFET
该资料介绍了NCE6020AK这款N通道增强型功率MOSFET。它采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷的特点，适用于多种电源开关应用。
NCE - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,N通道增强模式功率MOSFET,NCE6020AK,HARD SWITCHED,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,硬交换,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,高频电路
NCE1550 N沟道增强型功率MOSFET
该资料介绍了NCE1550型N通道增强模式功率MOSFET的特性。它采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于多种电源开关应用。
NCE - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,N通道增强模式功率MOSFET,NCE1550,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,HARD SWITCHED,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,硬交换,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,高频电路
电子商城
现货市场
服务
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论