【产品】DFN封装的N沟道80V快速开关MOSFET RM60N80D3，连续漏极电流达60A

时间： 2022-04-02 来源：丽正国际

技术问答

RM60N80D3是丽正国际推出的DFN封装N沟道80V快速开关MOSFET，采用先进的沟槽MOS工艺技术，漏源电压为80V，拥有较低的RDS(on)（＜8.7mΩ@10V，＜13mΩ@4.5V），连续漏极电流60A @Tc=25℃，脉冲漏极电流200A，总耗散功率为50W @Tc=25℃。适合于开关电源，高频电路，UPS等应用。

电路及封装图

特性

VDS =80V, ID =60A

RDS(ON) <8.7mΩ @ V GS=10V

RDS(ON) <13mΩ @ V GS=4.5V

先进的沟槽MOS工艺技术
100%雪崩测试保证
快速开关
绿色环保
无卤素

应用

开关电源和一般用途的应用
硬开关和高频电路
不间断电源

最大额定值（@TC=25℃，除非另有说明）

包装及订购信息

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