【产品】采用FBAR技术的高性能双工器RSFD1702N，低插入损耗，专为LTE Band3应用而设
RSFD1702N是诺思专为LTE Band3（1710~1785MHz TX，1805~1880MHz RX）应用而设计的高性能双工器。RSFD1702N采用ROFS的薄膜体声波谐振器（FBAR）技术设计，提供高Q滤波器，满足低插入损耗、高回波损耗降低Tx端口损耗、高带外衰减的要求。RSFD1702N使用芯片级封装（CSP）技术将滤波器组装到模制板载芯片模块中，封装尺寸为1.6mmx1.2mm，高度为0.6mm。
特征
●微型尺寸
1.6mmx1.2mmx0.6mm
●插入损耗：
Tx 2.1dB典型值。
Rx 2.6dB典型值。
●Tx-Rx隔离度：
Tx 通带55dB典型值。
Rx 通带56dB典型值。
●Tx输入功率：
+29dBm CW55℃ 5000小时
●ESD防护能力：HBM Class 1C
●湿度敏感度：MSL3
●储存温度：-40至+85℃
环境
完全符合RoHS标准
无铅（Pb free）
功能框图（俯视图）
电气参数
(1) +25℃时band内的参考值
(2) -20~+85℃时band范围内最大/最小值
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产品类型
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RSFP2413E
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支持 3Hz ~ 26.5GHz射频信号中心频率测试；9kHz ~ 3GHz频率范围内Wi-SUN、lora、zigbee、ble和Sub-G 灵敏度测量与测试，天线阻抗测量与匹配电路调试服务。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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