【产品】采用FBAR技术的高性能双工器RSFD1702N，低插入损耗，专为LTE Band3应用而设

时间： 2023-05-16 来源：诺思

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RSFD1702N是诺思专为LTE Band3（1710~1785MHz TX，1805~1880MHz RX）应用而设计的高性能双工器。RSFD1702N采用ROFS的薄膜体声波谐振器（FBAR）技术设计，提供高Q滤波器，满足低插入损耗、高回波损耗降低Tx端口损耗、高带外衰减的要求。RSFD1702N使用芯片级封装（CSP）技术将滤波器组装到模制板载芯片模块中，封装尺寸为1.6mmx1.2mm，高度为0.6mm。

特征

●微型尺寸

1.6mmx1.2mmx0.6mm

●插入损耗：

Tx 2.1dB典型值。

Rx 2.6dB典型值。

●Tx-Rx隔离度：

Tx 通带55dB典型值。

Rx 通带56dB典型值。

●Tx输入功率：

+29dBm CW55℃ 5000小时

●ESD防护能力：HBM Class 1C

●湿度敏感度：MSL3

●储存温度：-40至+85℃

环境

完全符合RoHS标准

无铅（Pb free）

功能框图（俯视图）

电气参数

(1) +25℃时band内的参考值

(2) -20~+85℃时band范围内最大/最小值

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