【应用】IoT产品主备电源切换电路中使用PMOS管YJL2305B和NMOS管YJL2312A,实现防倒灌、电源控制


笔者需要基于如图1框图模型,设计一个IoT产品主备电源切换板,电路上需实现备用电池VBO输出和DC转换输出REG_VBO的自动切换。备用一次性锂电池,DC转换输出REG_VBO电压为3.6V。自动切换电路需要实现当外部电源输入EXT_POWER中断时候,自动切换到电池供电;当外部电源正常后,切换回外部供电,并且切换电路需要具备防倒灌功能。笔者使用扬杰科技PMOS管YJL2305B和NMOS管YJL2312A设计电路如图2所示,并通过DC芯片输出PGOOD信号控制实现两路电源自动切换。
图1 电源切换功能框图 图2 电源自动切换电路
电源切换板PCB设计如下图3所示,其中黄色框内为电池切换通道,绿色框内对应DC转换输出主电源切换通道。
图3 电源切换板PCB
上述电路刚开始工作时,电池输出电压可能高于DC输出。但伴随电池电量消耗,电池输出电压会低于DC输出,故设计中使用了两颗PMOS管YJL2305B来实现备用电池通道的电源通断控制和防倒灌功能;设计中使用一颗PMOS管YJL2305B来实现DC转换输出通道电源控制,并使用一颗NMOS管YJL2312A实现PMOS管G端电平反转控制。电路具体工作原理为:
1、 当外部电源正常输入时,REG_VBO输出3.6V,NMOS管Q6的G端为高电平Q6导通,Q5的G端变成低电平后Q5导通;同时Q1和Q2 的G端也为高电平,Q1和Q2处于截止状态。此时切换电路工作于外部电源输入通道,VBI输出等于REG_VBO电压 ,并且Q1和Q2自身体二极管的存在可有效防止电流倒灌。
2、 当外部输入电源中断后,REG_VBO无输出,Q6的G端通过R91下拉电阻固定到低电平状态,Q6不导通;Q1和Q2的G端同时也处于低电平状态,Q1和Q2导通; 此时切换电路工作于备用电源通道,VBI输出等于VBO电压。当REG_VBO无输出时候,由于Q5自身体二极管的存在, 并且Q5的G端通过R90电阻上拉到VBI高电平状态,Q5截止,可有效防止REG_VBO无输出时候的电流倒灌。
笔者对该电源自动切换电路进行了实际测试,并分别模拟了电池输出电压VBO低于和高于DC输出REG_VBO时的工作状态。
1、当VBO输出低于REG_VBO时,VBO输出设置2.5V,REG_VBO正常输出3.6V, 电源自动切换波形如图4所示,电源自动切换功能正常;当电路工作在外部电源输入通道时,Q1的D端测量电压几乎为0; 当电路工作在备用电源通道时,Q5的D端测试了电压几乎为0,电流防倒灌功能工作正常。
图4 VBO输出设置2.5V,REG_VBO正常输出3.6V, 电源自动切换波形
2、 当VBO输出高于REG_VBO时,VBO输出设置4V,REG_VBO正常输出3.6V, 电源自动切换波形如图5所示,电源自动切换功能正常。当电路工作在外部输入通道时,Q1的D端测量电压几乎为0; 当电路工作在备用电池输入通道时,Q5的D端测试了电压几乎为0,电流防倒灌功能工作正常。
图5 VBO输出设置4V,REG_VBO正常输出3.6V, 电源自动切换波形
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 5
本文由jerry.zhang提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【应用】国产PMOS用于400G光模块,低导通电阻36.4mΩ,门极漏电流仅为±100nA
在400G光模块中,一般需要通过缓启动电路抑制浪涌电流及尖峰电压,保护光模块电路及保障在瞬时通电情况下各器件的安全,即实现热插拔功能。采用PMOS自行搭建缓启动电路,可以有效节省成本。扬杰YJL2305A可以满足需求。
【应用】国产车规级60V NMOS YJQ53G06AQ用于汽车IBCU产品,导通内阻低于8.2mΩ
本文主要介绍的是国产扬杰科技推出的车规级60V NMOS应用于汽车IBCU产品。该芯片漏源电压60V,完全可以满足12V升24V的开关电源应用;漏电流53A,导通内阻低于8.2mΩ,已通过AEC-Q100车规认证。
【应用】耐压60V的国产NMOS YJQ62G06A助力砖块电源设计,过流62A,封装DFN3333
砖块电源由于体积小,功率低,为了提高效率,副边较常使用MOS进行同步整流。其中NOMS较常用,现介绍一款应用于副边同步整流的国产NMOS扬杰科技的YJQ62G06A。
扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品,漏源电压VDSS(V):-100V~900V,漏极电流ID(A):-115~300,耗散功率PD(W):-0.83W~375W;
产品型号
|
品类
|
Package
|
Status
|
ESD
|
Configuration
|
Type
|
VDSS(V)
|
ID(A)
|
PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃)
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
|
Standard
|
选型表 - 扬杰科技 立即选型
一颗NMOS 2N7002需要国产替代,有什么推荐?
推荐扬杰科技2N7002,VDSS=60V,ID=0.34A,耗散功率0.35W,SOT-23封装。资料:https://www.sekorm.com/doc/2222131.html
充电口执行器项目上新增NMOS需求,耐压60V,漏电流至少90A,5*6封装,求推荐。
推荐扬杰科技NMOS YJG95G06AQ,PDFN5060封装,VDS耐压60V,漏电流ID为95A,最大导通电阻3.8mΩ,工作温度范围-55℃~+150℃。
【选型】国产PMOS YJD28GP10A可用于电动车报警器供电电源开关,导通电压-100V,电流-28A
客户需求一款TO252封装的PMOS,用于电动车报警器的供电电源开关。需求为-100V,-25A以上的PMOS。最好是国内品牌,能有更好的价格和货期。本文推荐扬杰科技的YJD28GP10A,ID电流-28A满足参数需求。
【选型】国产N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A与友商NMOS SIJA58DP参数性能对比分析
一般NMOS用于同步整流,逆变等电路,在电源上应用广泛,现介绍一款扬杰科技的N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A,其功能与Vishay的SIJA58DP相似,本文将针对二者的参数性能进行对比分析。
服务器项目上在找一颗-40A,-30V的PMOS,导通电阻尽量低,有合适推荐么?
推荐国产扬杰科技YJG40P03A,V-DS:-30V,ID:-40A,R-DS(开)(V-GS=-20V时):<12mohm。资料:https://www.sekorm.com/doc/2229573.html
仪表盘项目,需要一颗MOS,TO-252封装,PMOS,VDS=100V,ID=28A,有合适的吗?
推荐扬杰科技的YJD28GP10A,VDS:-100V,ID:-28A,PMOS,TO252封装;、 具体链接:https://www.sekorm.com/product/727609.html
光模块缓启应用中须推荐一国产MOS,要求:单通道PMOS、DS=-20V、电流4-5A、Rds内阻越小越好,优先DFN封装。
推荐扬杰YJQ4666B,电流可达7A,手册参考链接:https://www.sekorm.com/doc/1948042.html。
推荐一个pmos耐压值100V,内阻小于5mΩ。工作在额定40A的系统中
此规格要求比较高,目前找到比较接近的是-100V,-30A,TO263封装的扬杰科技的YJB30GP10A,规格书参考:YJB30GP10A P-Channel Enhancement Mode Field Effect (sekorm.com),可以采用并联方式
RRU大功率基站项目上寻一款NMOS,要求VDS>60V;ID>21A(Tc=100℃);Vgsth<2V,求推荐。
推荐扬杰科技SGT工艺NMOS YJG100G08E,PDFN5060封装,最大漏源电压VDS为80V,最大漏电流ID=58A(Tc=100℃),阈值电压Vgsth=1.8V(typ),工作温度范围-55℃~+150℃,规格书参考链接:https://www.sekorm.com/doc/3166756.html
【选型】NMOS YJQ40G10A可兼容IRFHM7194TRPBF,ID通流高达40A,用于开关电源
在开关电源产品中,副边同步整流一般会使用MOS。NMOS是最常用的。现介绍一款100V耐压的NMOS扬杰科技的YJQ40G10A,其功能与INFINEON的IRFHM7194TRPBF相似,在系统余量合适的情况下,可以进行兼容性设计。
数据采集记录器项目上寻一款PMOS,-60V/-25A,TO-252,求推荐。
推荐扬杰科技PMOS YJD25GP06A,TO-252封装,最大漏源电源VDS为-60V,最大漏电流ID为-25A,最大导通电阻50mΩ,工作温度范围-55~+150℃,规格书参考链接: https://www.sekorm.com/doc/3234194.html。
电子商城
现货市场
查看全部2条回复