【产品】瞻芯电子SiC紧凑型栅极驱动IVCR1412实现量产,集成负压和米勒效应抑制功能
近期,上海瞻芯电子科技有限公司量产了一款比邻驱动®(NextDrive®)芯片IVCR1412,这是业界第一款集成负压和米勒效应抑制功能,且为极紧凑SOT23-6封装的栅极驱动芯片,可为SiC MOSFET、Si MOSFET和IGBT提供简便、紧凑且可靠的栅极驱动解决方案。
IVCR1412驱动芯片的输出是一个准电流源,从而免除了所有栅极电阻,又能贴近功率管安装,可最大限度地减小了栅极驱动环路杂散电感,动态均流效果提升明显。
该驱动芯片集成了一个负压电荷泵,可以以提供-2V的关断电压。如果不需要-2V的关断电压,直接使用OUT输出即可。由于栅极驱动环路上没有栅极电阻,驱动器的强下拉输出可实现有源米勒效应抑制功能,从而可靠地关断MOSFET。该驱动芯片也适用于硅MOSFET和IGBT驱动。
在关断时,驱动芯片的输出首先以4A电流下拉80ns,然后以3Ω的下拉电阻使输出保持低电平,从而为栅极环路振荡提供必要的阻尼。
该驱动芯片还具有一个驱动电流大小的编程引脚,可调节开通时上拉的峰值电流大小,用于 MOSFET 的导通速度调节,便于优化SiC MOSFET的开通速度与系统噪声。
IVCR1412是一款高速驱动芯片,器件之间延时失配最大值为3ns。它非常适合并联MOSFET的一对一驱动,以实现良好的动态均流。主要应用于新能源汽车OBC、电机驱动、AC/DC转换器、服务器和通信设备的整流器、EV/HEV逆变器及DC/DC转换器、光伏升压及逆变、UPS等领域。
欢迎感兴趣的客户伙伴来咨询了解更多信息,并可申领样品。
IVCR1412的主要特性如下:
6引脚SOT-23封装
高达2A的峰值拉电流和4A的峰值灌电流
80ns灌电流持续控制
高达30V的宽幅VDD供电
VDD欠压保护,4.5V到25V推荐工作电压
集成-2V电压输出(默认),或者0V输出选项
抑制米勒效应
可配置输出驱动电流
低至-5V负压输入
兼容TTL和CMOS输入电平
低传播延迟(16ns)
输入浮空时输出为低电平
-40℃至125℃的工作温度范围
关于瞻芯电子
上海瞻芯电子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅半导体(SiC半导体)领域的高科技芯片公司,2017年成立于上海临港。瞻芯电子齐集了海内外一支经验丰富的高素质核心团队,致力于开发碳化硅功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅功率模块产品。
瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司,致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。
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鹏鹏 Lv7. 资深专家 2022-09-07学习
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dylen Lv7. 资深专家 2022-09-02学习
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夏拉 Lv7. 资深专家 2022-09-02学习
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碳化硅技术带来了更高的效率,可以减少空调散热器的尺寸和热管理的成本。同时,更高的开关频率可以降低磁性元件的成本和尺寸,实现更高的功率密度。此外,低电磁干扰特性则可以降低电磁干扰滤波器的成本并解决电磁干扰的研发成本。
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