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基于航顺HK32F0301MC设计电子烟,通过高级定时器输出PWM到MOS驱动,MOS驱动控制MOS管升降压,同时将负载阻值、输出功率等信息送显示,短路保护模块,检测MOSFET工作时两端的压差,压差超过设定阈值时,关闭MOSFET,停止工作,精准的加热丝阻抗测量功能和ADC采集电流,形成过吸保护,让电子烟更智能、用户体验更好。
HI-SEMICON提供用于电子烟DCDC电源的中低压MOSFET,具有较低栅极电荷及导通电阻
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为电子烟雾化器量身锻造的多款SGT MOS,满足客户产能和性能需求
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描述- 本文详细介绍了世晶半导体(深圳)有限公司为电子烟产品提供的多种应用方案,包括充电端、电池供电端、按键处和咪头的静电防护方案,以及MOS应用方案。方案涵盖了ESD防护、TVS保护、OVP保护、MOSFET等元器件,旨在确保电子烟产品的安全性和稳定性。
型号- SEO4V5FN203,SE5VFBN102,SEO24VFHN203,SM30P044SG,SVP5301,SEO24VFD122F,SM30N30DH,SVPA2601,SM20P15DE,SM30P10DE,SM20P05SG,ST4V5FHN102,SM20N60DH
电子烟
型号- LP4060,LP4061,LP7855X,LP6221A,LP7862,LP7861,LP28300,LP7864,LP7863,LP7866,LPB2105,LP7865,LP6216,LP7868,LP7867,LP7857M,LP28013X,LP28021X,LP5308,LP5309,LP7859A,LP4030HX,LP3994,LP3993,LP4073,LP4030,LP7860,LPM3401A,LPM9015,LP7853,LP4068,LP7854,LPB1006,LPB1003,LP7856,LP7858,LP7855XA,LP7864H
TP4062(600mA电子烟线性锂离子电池充电器)规格书
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型号- TP4062,TP4062-42-SOT236
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型号- RU3089M-C
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型号- HGQ09N06A
CS65N03AQ4-G硅N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了硅N沟道增强型VDMOSFET CS65N03 AQ4-G的特性及应用。该器件采用高密度 trench 技术制造,具有低导通损耗、优异的开关性能和高雪崩能量。适用于适配器和充电器电源电路、电子烟、电动工具等负载切换和PWM应用。
型号- CS65N03AQ4-G
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描述- 该资料介绍了CRTM028N03L2P硅N沟道增强型VDMOSFET的特性及应用。该器件采用高密度 trench 技术,降低导通损耗,提高开关性能和雪崩能量。适用于适配器和充电器电源电路、电子烟、电动工具等负载切换和PWM应用。
型号- CRTM028N03L2P
CRTM045N04L2P硅N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了CRTM045N04L2P硅N沟道增强型VDMOSFET的特性及应用。该器件采用高密度 trench 技术,降低导通损耗,提高开关性能和提升雪崩能量。适用于适配器和充电器电源电路、电子烟、电动工具等负载切换和PWM应用。
型号- CRTM045N04L2P
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
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