【经验】以TMP120N10A为例说明MOSFET并联使用的注意事项
TMP120N10A是无锡紫光微推出的电压100V的N沟道沟槽式MOSFET。该产品阻抗小、开关快，非常适合于低压、大电流情况下并联使用，主要应用于开关电源、硬开关、电机驱动、高频电路和不间断电源。下面以TMP120N10A为例，简要说明MOSFET并联使用需要关注的点。
图1——TMP120N10A的产品图及符号图
1、选择同型号MOSFET
同型号MOSFET其Vth、RDSON等参数相近，可保证开关特性一致和导通时电流均流。
在同一驱动脉冲作用下，开启电压Vth低的会先开启，该MOS管首先流过整个回路的电流，如果此时电流偏大，不加以限制，则对MOS管的安全工作造成威胁；关闭时同理。RDSON相同则可使导通状态下均流，防止单颗负担过重。
2、使用正温度系数MOSFET
MOSFET并联时具有相同的Vds，其导通电阻RDSON小的MOS管会流过更大的电流，随着结温的升高，导通电阻增大，其他内阻较小的MOS管电流就会逐渐增大，从而保持电流均衡。如下图TMP120N10A导通电阻与温度关系曲线，导通电阻RDSON具有正的温度特性，所以是适合并联的。
图2——导通电阻与温度关系曲线
3、栅极需加均流电阻、保证布局对称
MOSFET走线不同，寄生电感也不同，即使Vth相同，并联开关速度差异很小也会导致较高的门极电压差，进而导致门极震荡。所以进行布局对称、均流电阻来改善开关特性很有必要。
4、保证有足够的驱动功率
多管并联，也意味着需要更大的驱动能力来满足MOS的开关需求，足够的驱动功率才能够保证系统的正常运行。下面以TMP120N10A举例，计算驱动功率：
驱动器输出平均电流Idrive = Qg׃＋Cgs׃×Vee；
驱动器输出功率P = Idrive×Vee；
其中：Qg为门极电荷，ƒ为开关频率，Vee为驱动最高与最低电压的电压差；
若为2个MOS并联，Qg为门极电荷，ƒ为开关频率Qg为130nC，设工作频率f为20Khz，Vee为15V，则需要驱动器的功率：
P = 2×130 nC×20Khz×15V＋10nF×20Khz×15V²= 0.123W。
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产品型号
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品类
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V(BR)DSS(V)
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ID(A)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)
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V(GS)thmin(V)
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V(GS)thmax(V)
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Ciss(pF)
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Qg(nC)
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封装
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TTD30N10AT
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N-Channel Trench MOSFET
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100
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20
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22
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27
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1
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