【产品】福斯特半导体推出的N沟道增强型高压功率MOSFET FIR12N65FG,漏源电压最大额定值高达650V

2023-06-06 福斯特半导体
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FIR12N65FG福斯特半导体推出的一款采用F-CellTM结构VDMOS专利技术研发的N沟道增强型功率MOSFET。改进过的平面条形单元和保护环端子可以最小化通态电阻,提供卓越的开关特性,并能在雪崩和换向模式中承受高能脉冲。该器件广泛应用于AC-DC电源,DC-DC变换器和H桥PWM电机驱动器领域。器件封装,等效电路及产品图示如下:


特点

12A,650V,RDS(on)(典型值)=0.63Ω@VGS=10V

低栅电荷

低反向传输电容

快速开关特性

具有优秀的dv/dt值特性


绝对最大额定值(Ta=25℃,除非另有说明)


热特性


电气特性(Ta=25℃,除非另有说明)


漏-源二极管额定值和特性


注释

1.L=30mH,IAS=5.00A,VDD=50V,RG=25Ω,TJ=25℃起始

2.脉冲测试条件:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%

3.几乎与工作温度无关

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
VDS(V)
ID (A)
RDSon (Ω)
FIR10N50FG
MOS
500V
10A
0.70Ω

选型表  -  福斯特半导体 立即选型

FIR7NS70AFG/ALG 7A,700V DP MOS Power Transistor-E

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