【产品】福斯特半导体推出的N沟道增强型高压功率MOSFET FIR12N65FG，漏源电压最大额定值高达650V

时间： 2023-06-06 来源：福斯特半导体

FIR12N65FG是福斯特半导体推出的一款采用F-Cell^TM结构VDMOS专利技术研发的N沟道增强型功率MOSFET。改进过的平面条形单元和保护环端子可以最小化通态电阻，提供卓越的开关特性，并能在雪崩和换向模式中承受高能脉冲。该器件广泛应用于AC-DC电源，DC-DC变换器和H桥PWM电机驱动器领域。器件封装，等效电路及产品图示如下：

特点

12A，650V，R_{DS(on)(典型值)}=0.63Ω@V_GS=10V

低栅电荷

低反向传输电容

快速开关特性

具有优秀的dv/dt值特性

绝对最大额定值(T_a=25℃，除非另有说明)

热特性

电气特性(T_a=25℃，除非另有说明)

漏-源二极管额定值和特性

注释

1.L=30mH，I_AS=5.00A，V_DD=50V，R_G=25Ω，T_J=25℃起始

2.脉冲测试条件：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

3.几乎与工作温度无关

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