【产品】福斯特半导体推出的N沟道增强型高压功率MOSFET FIR12N65FG,漏源电压最大额定值高达650V
FIR12N65FG是福斯特半导体推出的一款采用F-CellTM结构VDMOS专利技术研发的N沟道增强型功率MOSFET。改进过的平面条形单元和保护环端子可以最小化通态电阻,提供卓越的开关特性,并能在雪崩和换向模式中承受高能脉冲。该器件广泛应用于AC-DC电源,DC-DC变换器和H桥PWM电机驱动器领域。器件封装,等效电路及产品图示如下:
特点
12A,650V,RDS(on)(典型值)=0.63Ω@VGS=10V
低栅电荷
低反向传输电容
快速开关特性
具有优秀的dv/dt值特性
绝对最大额定值(Ta=25℃,除非另有说明)
热特性
电气特性(Ta=25℃,除非另有说明)
漏-源二极管额定值和特性
注释
1.L=30mH,IAS=5.00A,VDD=50V,RG=25Ω,TJ=25℃起始
2.脉冲测试条件:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%
3.几乎与工作温度无关
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产品型号
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品类
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VDS(V)
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ID (A)
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RDSon (Ω)
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FIR10N50FG
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MOS
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500V
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10A
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0.70Ω
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可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
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