【元件】 英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案,采用TO封装,效率达94.6%

2023-03-16 充电头网官网
INN700TJ240A,INN700TK240A,INN700TH140C,INN700TJ140C INN700TJ240A,INN700TK240A,INN700TH140C,INN700TJ140C INN700TJ240A,INN700TK240A,INN700TH140C,INN700TJ140C INN700TJ240A,INN700TK240A,INN700TH140C,INN700TJ140C

随着终端产品对氮化镓的加速应用,氮化镓市场规模进一步扩大。相较于硅,氮化镓高频率、小体积的优势不言而喻,但价格却仍然让许多方案厂商犹豫不决。英诺赛科坐拥全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造基地,规模化量产使氮化镓成本在行业中具备较强的竞争优势。


近期推出了采用TO252/TO220封装的氮化镓新品,并将其应用在120W双面板适配器方案中,将高效率、高功率密度和高性价比三项特性发挥到极致。

图 1

主要参数

●尺寸:56mm*46mm*20mm

●效率:94.6%@230Vac(without NTC)

●功率密度:38W/in3

●InnGaN

INN700TK240A(TO252)

INN700TJ240A(TO220F)

图 2

拓扑结构

Flyback(CCM@90Vac/QR)

图 3

封装优势

●借助于InnoGaN平面结构的特点,TO252封装散热PAD可连接大面积散热铜箔,TO220封装散热片加装更加简单;

●相比Si MOS,TO 封装的GaN能够使Cpe减小5/6,共模噪音减小5/6;

●InnoGaN TO封装的驱动回路G-S与功率回路D-S天然解耦,能将layout设计达到更优。

图 4

温升对比

在相同功率方案的测试对比下,采用TO封装的INN700TJ240A温升表现比Si MOS更优,最大温度收益可达到18℃。

图 5

方案优势

●无PFC架构,输入低压器件损耗大,充分利用GaN Source接散热PAD结构及优化系统设计,使得Demo功率密度和效率达到业界最优,输入90Vac带满载6分钟工况下温升问题也得以解决;
●开拓了E-mode GaN TO封装参考设计,将效率和功率密度发挥到极致,为客户提供了应用指导。


应用领域

采用TO封装的氮化镓120W大功率方案为手机充电厂商提供了高效率、小体积、高性价比的参考设计,是手机、平板、笔记本电脑等消费类电子产品快充的绝佳选择。

图 6

英诺赛科TO封装产品列表

表 1

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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品类:transistor

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品类:GaN FET

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