【经验】中微半导体BAT32G13x系列MCU开启代码保护的方法

时间： 2021-12-01 来源：世强

技术问答

中微半导体推出的超低功耗MCU BAT32G135采用高性能的ARM Cortex-M0+的32位RISC内核，最高可工作于64MHz频率，采用高速的嵌入式闪存集成12bitA/D转换器、温度传感器、比较器，可编程增益放大器，具有出色的低功耗性能运行功耗为35uA/MHz@64MHz，在深度睡眠模式下功耗仅0.45μA。

为避免第三方厂家读到Flash里的软件信息，在量产之前通常需要将代码设置为读保护，本文介绍中微半导体Cortex-M0+ BAT32G13x系列MCU产品设置代码保护的方法。

在内存数据保护选项字节（000C3H/010C3H，500004H~500005H）中设置保护模式，BAT32提供了Level0-Level2三种保护模式。

Level0：允许通过debugger对闪存数据进行读出/写入/擦除操作。代码默认配置为Level0，保证OCDEN和OCDM为非0xC3。

Level1：允许通过debugger对闪存数据进行chip全擦除操作，不允许进行读写操作。需要在system_BAT32Gxxx.c文件中完成芯片用户选项字节的配置，使用__attribute__((section(".ARM.__AT_地址")))的语法，将配置的选项字参数放置在地址0x00C0~0x00C2，闪存数据保护选项字节在第四个字节，将第四字节0xFF修改为0xC3，并保证0x500004地址段为0x3C以外的值。

Level2：不允许通过debugger对闪存数据进行操作。在Level1的基础上，将0x500004地址段的值改为0x3C。在Level1的基础上修改如下代码。

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