【经验】中微半导体BAT32G13x系列MCU开启代码保护的方法
中微半导体推出的超低功耗MCU BAT32G135采用高性能的ARM Cortex-M0+的32位RISC内核，最高可工作于64MHz频率，采用高速的嵌入式闪存集成12bitA/D转换器、温度传感器、比较器，可编程增益放大器，具有出色的低功耗性能运行功耗为35uA/MHz@64MHz，在深度睡眠模式下功耗仅0.45μA。
为避免第三方厂家读到Flash里的软件信息，在量产之前通常需要将代码设置为读保护，本文介绍中微半导体Cortex-M0+ BAT32G13x系列MCU产品设置代码保护的方法。
在内存数据保护选项字节（000C3H/010C3H，500004H~500005H）中设置保护模式，BAT32提供了Level0-Level2三种保护模式。
Level0：允许通过debugger对闪存数据进行读出/写入/擦除操作。代码默认配置为Level0，保证OCDEN和OCDM为非0xC3。
Level1：允许通过debugger对闪存数据进行chip全擦除操作，不允许进行读写操作。需要在system_BAT32Gxxx.c文件中完成芯片用户选项字节的配置，使用__attribute__((section(".ARM.__AT_地址")))的语法，将配置的选项字参数放置在地址0x00C0~0x00C2，闪存数据保护选项字节在第四个字节，将第四字节0xFF修改为0xC3，并保证0x500004地址段为0x3C以外的值。
Level2：不允许通过debugger对闪存数据进行操作。在Level1的基础上，将0x500004地址段的值改为0x3C。在Level1的基础上修改如下代码。
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产品型号
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品类
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封装形式
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主频(MHz)
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工作温度 （℃）
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电压 （V）
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Memory Type
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SAR-ADC-unit
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SAR-ADC-bit
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SAR-ADC-ch
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COMP
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BAT32A233KC24NA
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32位通用MCU
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QFN24
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64MHz
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M0+
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-40℃ ~125℃
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2.0V~5.5V
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FLASH
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32KB
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4KB
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2
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2+1
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1
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