【选型】国产P沟道MOSFET PJC7407可替换ONSEMI的NTS4101P，助力光模块缓启电路设计
在低速光模块设计中，很多还是采用基于P-MOS管设计的缓启电路。不少设计人员之前会选择ON的NTS4101P，但随着非美系和低成本需求日益增多，急需一款替换品。本文从电性能参数、封装等方面推荐强茂P沟道MOSFET PJC7407可替换ONSEMI的NTS4101P。以下为两者电性能参数对比：
图1：PJC7407与NTS4101P参数对比图
从上表参数对比可知，
1、 强茂P-MOS PJC7407的Vds为-20V，Id为-1.3A，与NTS4101P参数基本一致，在用作负载开关电路时，能保证MOS的电压和电流余量足够；
2、 强茂P-MOS PJC7407的导通内阻Rds(on)为101mΩ，这是在Vgs=-4.5V,Id=1.3A状态下测试得到的，而ON的NTS4101P在Vgs=-4.5V,Id=1.0A测试条件下得到Rds(on)为83mΩ，一般在相同Vgs下，Id越大，相应的Rds(on)也会越大，所以PJC7407与NTS4101P导通内阻基本一致，保证负载开关电路低损耗；
3、 另外，PJC7407与NTS4101P的节温都为-55~150℃，保证MOS管的可靠性；虽然两者的Vgs最大电压不同，但是栅极的阈值电压Vgs(TH)还是基本一致的，保证在实际应用时不用重新考虑MOS栅极驱动电压选择。
4、 强茂PJC7407与ON NTS4101P的封装都为SOT-323，在应用中可以进行pin-pin替换。
除以上电性能、封装对比外，强茂P-MOS PJE8408有着更低的价格和供货周期优势，如有兴趣，欢迎在世强平台了解更多相关资讯。
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PJQ5542V-AU
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Low Voltage MOSFET
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DFN5060-8L
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New Product
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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