【产品】具备超低漏源导通电阻的N通道增强模式功率MOSFET RC3420，漏极直流电流5.5A
正芯推出的N通道增强模式功率MOSFETRC3420采用先进的沟道技术与设计，具有出色的RDS(ON)与低栅极电荷，应用十分广泛。
总体特征
VDS=20V，ID=5.5A
RDS(ON)<25mΩ@VGS=4.5V
RDS(ON)<35mΩ@VGS=2.5V
高密度单元设计，超低RDS(ON)
充分表征雪崩电压和电流
应用领域
功率开关应用
硬开关与高频电路
不间断电源
包装标识与订购信息
绝对最大额定值（如无特殊说明TA=25℃）
热特性 
电气特性（如无特殊说明TA=25℃）
注意：
重复额定值：受最大结温限制的脉冲宽度。
表面安装在FR4板上，t≤10秒。
脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。
设计保证，不受生产影响。
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产品 发布时间 : 2022-04-13
电子商城
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
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价格：￥0.1576
现货： 5,000
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
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授权代理品牌：机械电子元件
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