【选型】新洁能Super Trench MOSFET系列能实现低传导损耗，优良的开关特性提供高效的启停器解决方案
随着排放法规和能耗标准越来越严苛，自动启停技术正逐渐普及。配有此功能的汽车，在驾驶员踩下刹车，一般两秒后发动机就会自动熄火，发动机停止前，使活塞停在合适的位置；再次起动时，通过燃烧和12V起动机的共同作用来起动发动机。实现了在等红绿灯等短时停车减少排放和降低油耗的目标。新洁能（NCE）Super Trench MOSFET系列适合用于启停器解决方案。
新洁能Super Trench MOSFET系列40V产品，能实现低传导损耗（最优的RDSon性能）、低开关损耗（优良的开关特性），并改进体二极管反向恢复特性和改善系统EMC。同样，你也可以选用Normal Trench MOSFET系列40V产品，来获得更强的鲁棒性。
配合先进的封装技术，提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。
图 1
推荐产品
N-channel Trench MOS：VDS=40V Ron@10V（max）=1.6mΩ-2.35mΩ
N-channel SGT Gen.2 MOS & N-channel SGT Gen.1 MOS：VDS=40V Ron@10V（max）=1.3mΩ-4.0mΩ
IC：栅极驱动IC
表 1 N-channel Trench MOS
表 2N-channel SGT Gen.2 MOS
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NCE（新洁能）MOSFET 选型表
NCE（新洁能）为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V,以及100mA至400A的电流选择范围,低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C）其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。推出的TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并大大降低成本，可广泛应用于直流-直流转换,次级侧同步整流器,电机控制等领域。
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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车规级/工业级
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Technology
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Polarity
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VTH(V)
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RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
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VGS(th)(V)
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CISS(pF)
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QG(nC)
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PD(W)
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NCE12P09S
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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SOP-8
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工业级
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Trench
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P
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-12
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-9
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-0.7
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11.5
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18
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14
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22
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±12
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2700
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35
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2.5
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选型表 - NCE 立即选型
NCEP15T14 NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- NCEP15T14是一款采用Super Trench技术的N-Channel Super Trench Power MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于高频开关和同步整流应用。该器件具有150V的漏源电压、140A的连续漏极电流和5.8mΩ的典型RDS(ON)值，适用于DC/DC转换器等应用。
型号- NCEP15T14
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NCEP0210Q NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- NCEP0210Q是一款采用Super Trench技术的N-Channel Super Trench Power MOSFET，具有低导通和开关损耗，适用于高频开关和同步整流。该器件具有200V的VDS、10A的ID和145mΩ的RDS(ON)，适用于DC/DC转换器等应用。
型号- NCE,NCEP0210Q
NCEP01ND35AG NCE N沟道超级沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP01ND35AG这款N沟道超级 trench 功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术，提供高效的高频开关性能，具有低导通和切换功率损耗的特点。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP01ND35AG
NCEP0120Q NCE N沟道超级沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP0120Q型N通道超深沟槽功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术，优化了高频开关性能，具有低导通和切换损耗。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP0120Q
NCEP008N30GU NCE N沟道超级沟槽II功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP008N30GU型号的N-通道超级沟槽II功率MOSFET。这款器件采用独特的Super Trench II技术，优化了高频开关性能，具有极低的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg），适用于高频开关和同步整流应用。
型号- NCEP008N30GU
NCEP85T11 NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP85T11这款N沟道超级 trench 功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术，提供高效的开关性能，具有低导通电阻和栅极电荷，适用于高频切换和同步整流。
型号- NCEP85T11
NCEP01P60G NCE P沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCE P-Channel Super Trench Power MOSFET（NCEP01P60G）的特性。这款器件采用Super Trench技术，优化了高频开关性能，具有低导通和切换损耗。适用于DC/DC转换器等高频率开关和同步整流应用。
型号- NCEP01P60G
NCEP15T10V N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP15T10V这款N沟道超级 trench 功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench技术，优化了高频开关性能，具有极低的导通和切换损耗。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP15T10V
NCEP035N85GU NCE N沟道超级沟道II功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP035N85GU这款N沟道超级 trench II功率MOSFET的特性。它采用独特的Super Trench II技术，优化了高频开关性能，具有极低的导通和切换损耗。适用于直流/直流转换器和高频开关及同步整流。
型号- NCEP035N85GU
新洁能携车规级功率器件、栅极驱动IC、电源管理IC等十大产品平台的前沿产品及解决方案，亮相慕尼黑上海电子展
慕尼黑上海电子展隆重举办，新洁能全面展示了车规级功率器件、IGBT、超结功率MOSFET、屏蔽栅沟槽型MOSFET、沟槽型MOSFET、碳化硅功率MOSFET、氮化镓功率HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC十大产品平台的前沿产品及解决方案。
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