【元件】功率高达130W的高功率GaN晶体管CHKA012bSYA，支持的频率范围为DC~6GHz
UMS是一家全球通信、雷达、电子晶圆和射频系统的MMIC供应商，其推出的CHKA012bSYA是一款无与伦比的高功率GaN晶体管，支持的频率范围为DC~6GHz。功率高达130W，并且具有优秀的PAE性能。它的功耗保持低至50V@640mA，可以在CW或脉冲模式下使用，最大PAE时的相关增益为16dB@1.3GHz。
CHKA012bSYA基于UMS GaN 0.5µm专有技术进行设计的，该电路采用密封金属陶瓷法兰封装，不仅适用于空间通信和雷达，而且适用于所有需要密封解决方案的应用。
产品主要特性
•宽带宽能力：高达6GHz
•高Psat：130W
•高功率附加效率：58%@1.3GHz
•脉冲和CW工作模式
•直流偏置：50V@ID_Q=640mA
•MTTF>106小时@Tj=200℃
•最大PAE时的相关增益：16dB@1.3GHz
•密封陶瓷金属法兰功率封装
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 3
本文由Lonely翻译自UMS官网，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（3）
-
![]()
![]()
白白 Lv5. 技术专家 2022-11-01补充能量 -
![]()
![]()
孟 Lv5. 技术专家 2022-10-28学习 -
![]()
![]()
WilberTse Lv6. 高级专家 2022-10-28学习学习！
相关推荐
【IC】EPC推出新型80V、40A eToF™激光驱动器GaN IC，实现更高功率密度激光雷达系统
宜普电源转换公司（EPC）推出新型氮化镓集成电路EPC21701，这是一款80V激光驱动器IC，可提供15A脉冲电流，适用于飞行时间激光雷达应用（ToF激光雷达应用），包括真空吸尘器、机器人、3D安全摄像头和3D传感器。
【产品】130W封装氮化镓高电子迁移率晶体管，射频功率应用首选
UMS的CHKA011-SXA是一款氮化镓高电子迁移率晶体管，具有所有GaN关键优势，高功率、高效率以及高达1.5GHz工作频率的宽带能力，兼容脉冲和CW操作模式，为各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案，非常适用于雷达和通信等领域中。
【元件】UMS推出新系列封装晶体管CHKA012bSYA、CHK-8101-SYC和CHK8201-SYA
UMS推出了不少于三个型号新的封装晶体管——CHKA012bSYA、CHK-8101-SYC和CHA8201-SYA。这些产品采用密封陶瓷金属法兰封装，专用于空间应用。
UMS 射频MMIC芯片选型指南
UMS has a comprehensive offer based on the supply of either ASIC or catalogue products, in the main based on the Company’s internal III-V technologies and through the provision of a comprehensive foundry service, allowing customers to directly create their own product solutions.
UMS - 混频器,6-18GHZ CHIPSET,S波段芯片组,ANALOG ATTENUATOR,MULTIPLIER,检波器,振荡器,核心芯片,射频前端,砷化镓晶体管,中功率放大器,GAN HEMT TRANSISTOR DIE,OSCILLATOR – VCO,TELECOMS,数码,DIGITAL VGA,RECEIVER,数字VGA,BUFFER,下变频器,INTERNALLY MATCHED GAN POWER TRANSISTOR,ANALOG,振荡器–VCO,GAAS TRANSISTOR,接收机,缓冲器,低噪音放大器,AMPLIFIER,GAN高电子迁移率晶体管裸片,GAN TRANSISTORS,MIXER,HPA,SWITCH,氮化镓晶体管,DIGITAL,IQ DOWN CONVERTER,IQ下变频器,电信,PHASE SHIFTER,模拟衰减器,GAN HEMT PACKAGED TRANSISTOR,射频数字衰减器,内匹配氮化镓功率晶体管,氮化镓高电子迁移率晶体管封装晶体管,ANALOG VGA,OSCILLATOR,KU-BAND CHIPSET,KA-BAND CHIPSET,GAN POWER TRANSISTOR,GAAS TRANSISTORS,模拟,INTERNALLY MATCHED GAN POWER TRANSISTORS,放大器,DOWN - CONVERTER,X-BAND CHIPSET,RF FRONT-END,6-18GHZ芯片组,C-BAND CHIPSET,IQ UP CONVERTER,倍增器,KA波段芯片组,氮化镓功率晶体管,S-BAND CHIPSET,衰减器,IQ上变频器,DETECTOR,CORE CHIP,DIGITAL ATTENUATOR,C波段芯片组,WILKINSON POWER DIVIDER,KU波段芯片组,内部匹配的氮化镓功率晶体管,模拟VGA,ATTENUATOR,移相器,X波段芯片组,威尔金森功率分配器,L波段芯片组,开关,L-BAND CHIPSET,LNA,MPA,CHA7618-99F,CHA2441-QAG,CHV2421-QDG,CHT4016-99F,CHA5618-99F,CHK9013-99F,PPH25,CHA6105-99F,CHA4105-99F,CHR3693-QDG,CHA4314-98F,CHX2095A99F,CHP3015-QDG,CHC2444-QBB,PH25,CHA5266-FAB,CHR3352-QEG,CHA3664-QAG,CHA7115-99F,CHA3514-99F,CHC6094-QKB,CHV3241-QDG,CHR2411-QDG,CHA5115-99F,CHS5104-QAG,CHA6652-98F,CHA8012-99F,CHA8362-99F,PH10,CHA6551-99F,CHA6652-QXG,CHA5005-QDG,CHP4014-98F,PH15,CHA4253AQQG,CHW4313-QAG,CHA3398-98F,CHA6095-QKB,CHA2494-98F,CHT3029-99F,CHT3091A99F,CHR3762-QDG,CHA7453-99F,CHP4014-QEG,CHT4690-QAG,CHR3364-QEG,CHA3395-98F,CHA2293-99F,CHX1191-QDG,CHV1203-FAB,CHP4010-99F,CHX2089-99F,CHA5266-99F,CHA4253-FAB,CHW4312-QKA,CHA2159-99F,CHE1260-QAG,PPH15X,CHA6005-99F,CHA3656-QAG,CHR3662-QDG,CHW4213-QAG,CHU3377-98F,CHR3693-FAB,CHA5014-99F,CHKA012A99F,CHZ180A-SEB,CHT4694-QAG,CHX2092A99F,BES,CHA7250-QAB,CHA2368-98F,CHR1080A98F,CHA7060-QAB,CHX2193-FAB,CHA2394-99F,CHT4690-FAB,HB20M,CHM2179B98F,CHA3092-99F,CHA7063-QCB,CHA3090-98F,CHA8252-99F,CHZ180AASEB,CHK015AAQIA,CHP3010A98F,CHA3511-99F,CHA2595-98F,CHX1162-QDG,CHR1080A99F,CHT4016-QEG,CHP1102-QGG,CHA4105-QDG,CHR3693-99F,CHA2069-QDG,CHW4212-QKA,CHA6682-98F,CHP1102-98F,CHA2090-99F,CHA1010-99F,CHU2277-99F,CHR3394-QEG,CHA4350-QDG,CHA3801-99F,CHR3663-QEG,CHX2193-99F,CHC1443-QRA,CHX1191-98F,CHA3666-99F,CHM1080-98F,CHR3763-QDG,CHS8618-99F,CHA7452-99F,CHA3409-98F,CHA2362-98F,GH25,CHA5266-QDG,CHR3764-QEG,CHT3029-QEG,CHA3024-QGG,CHA2098B99F,CHT3091-FAB,CHA2352-98F,CHR2294-99F,CHA3063-99F,CHA3395-QDG,CHK8015-99F,GH15,CHA6550-98F,CHA2494-QEG,CHA8611-99F,CHR2270-QRG,CHA8710-QDB,CHA2066-99F,CHM1291-99F,CHA3801-FAB,CHP4511-99F,CHA8710A99F,CHS5104-FAB,CHK5010-99F,CHP4012A98F,CHA3080-98F,CHA6550-QXG,CHA5659-98F,CHM1294-99F,CHK8101-SYC,CHX2090-QDG,CHA3512-99F,CHK8013-99F,CHA1008-99F,CHA8618-99F,CHA2190-99F,CHA5350-99F,CHS5100-99F,CHA3565-QAG,CHA6682-QKB,CHV1203A98F,CHA5659-QXG,CHP3010-QFG,CHT4660-QAG,CHA3688AQDG,CHA3024-99F,CHA4253A98F,CHA7062-QCB,CHA3801-QDG,CHR3664-QEG,CHA2110-QDG,CHX2192-99F,CHR3362-QEG,CHA2595-QDG,HP07,CHA4107-99F,CHA3396-QDG,CHA2069-99F,CHR2421-QEG,CHT4699-QDG,CHZ015AAQEG,CHS5104-99F,CHP1102-QDG,CHT4690-99F,CHR3861-QEG,CHP4012-QEG,CHA8100-99F,CHT3091AQAG,CHX3068-QDG,CHR3894-98F,CHZ8012-QJA,CHA2266-99F,CHS2411-QDG,CHV1206A98F,CHA8352-99F,CHA3218-99F,CHR2295-99F,CHA7455-99F,CHA2069-FAB,CHP6013-SRF,CHA1077A98F,CHX2091-99F,CHA2193-99F,CHA3666-FAB,CHA3024-FDB,CHM1290-99F,CHA8610-99F,CHT4694-99F,CHM2378A99F,CHA6710-FAB,CHA2157-99F,CHU2277A98F,CHS7012-99F,CHA8254-99F,CHA2110-98F,CHA3023-99F,CHKA011ASXA,CHA3656-FAB,CHC3014-99F,CHA6262-99F,CHA8262-99F,CHKA012BSYA,CHM1270A98F,CHT4012-QDG,CHA2411-QDG,CHA6094-QKB,CHP3015-99F,CHE1260-98F,CHA4107-QDG,CHA3513-99F,CHA5115-QDG,CHA2063A99F,CHK9014-99F,CHA7114-99F,CHK8201-SYA,CHA3397-QDG,CHA2080-98F,CHV2411AQDG,CHA3665-QAG,CHE1270-QAG,CHA2292-99F,CHT4660-FAB,CHV2240-99F,CHA8312-99F,CHA6710-99F,CHC2442-QPG,CHA3398-QDG,CHA6653-QXG,CHA3666-QAG,CHA7215-99F,CHA6354-QQA,CHK8101A99F,CHA4102-QEG,CHA4220-98F,CHC6054-QQA,CHR2291-99F,CHS5105-QAG,CHA6653-98F,CHA6362-QXG,CHA6005-QEG,CHA2066-QAG,CHT4012A98F,CHV2243A99F,CHA8054-99F,CHZ9012-QFA,CHA6282-QCB,CHX2090-99F,CHA3689-99F,CHE1270A99F,CHR3894-QEG,CHA6194-QXG,EC2612-99F,CHR2296-99F,CHE1270A98F,CHA6356-QXG,CHA8612-QDB,CHM1298-99F,CHA6357-QKB,CHA8212-99F,CHA4220-QGG,电信,汽车,仪表,AEROSPACE,航空航天,INSTRUMENTATION,TELECOMS,DEFENSE,AUTOMOTIVE,国防
氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案
该资料主要介绍了ENABLE公司提供的GaN和GaAs产品及晶圆代工解决方案，涵盖中频和毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器和室内设备等领域。产品包括线性高功率放大器、超低噪声放大器、快速高隔离开关等，支持多种频段，如26、28、39、47GHz等。此外，还提供了多种封装选项，包括QFN、DFN等，以满足不同应用需求。资料还展示了不同频段下的产品性能参数，如增益、IP3、OP1dB等。
UMS - DOWN-CONVERTER,混频器,下变频器,POWER DETECTOR,LINEAR ATTENUATOR,MIXER,VGA接口,GAN TRANSISTORS,低噪音放大器,VGA,线性衰减器,GAN HPA,氮化镓HPA,中功率放大器,功率检测器,氮化镓晶体管,LNA,MPA,CHA6682-QCB,CHM1294-99F,CHK9013-99F,CHA1008-99F,CHA6682-QKB,CHA7063-QCB,CHA3090-98F,CHA5659-QXG,CHK015AAQIA,CHA3688AQDG,CHKA012-99F,CHA2595-98F,CHA8262-99F,CHA4105-QDG,CHC6094-QKB,CHA2069-QDG,CHW4212-QKA,CHA6094-QKB,CHA6682-98F,CHA2595-QDG,CHA3396-QDG,CHA8362-99F,CHC6094,CHA4350-QDG,CHA6652-QXG,CHA3397-QDG,CHM1080-98F,CHW4313-QAG,CHA2080-98F,CHE1270-QAG,CHA6095-QKB,CHA3409-98F,CHA3398-QDG,CHA6653-QXG,CHA7453-99F,CHK8101A99F,CHA6354-QQA,CHT4690-QAG,CHA3024-QGG,CHC6054-QQA,CHA2352-98F,CHK9014,CHA3395-QDG,CHW4312-QKA,CHA2159-99F,CHA3656-QAG,CHR2295-99F,CHA2494-QEG,CHA7455-99F,CHA6194-QXG,CHA7250-QAB,CHA2368-98F,CHK5010-99F,CHM1298-99F,CHA3080-98F,CHR1080A98F,CHA7060-QAB,CHA6357-QKB,CHA4220-QGG
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型表
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5，Saturated Power(W)：14-180，Bias(mA)：0.1-1300，Bias(V)：30-50.
|
产品型号
|
品类
|
Glin(dB) @ Freq(GHz)
|
Operating Frequency(GHz)
|
Saturated Power(W)
|
PAE(%) @ Freq(GHz)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
|
CHKA011aSXA
|
氮化镓功率晶体管
|
23.5 @ 0.44
|
Up to 1.5
|
130
|
75 @ 0.44
|
640
|
50
|
Ceramic Metal Flange
|
选型表 - UMS 立即选型
【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中，为实现雷达高分辨率的设计，需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求，普通MOS不能满足要求，需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），已经成功的应用在激光雷达上。
用于新的空间、低地球轨道、地球同步轨道、深空飞行任务、地球观测和通信的UMS空间解决方案
UMS公司提供适用于新太空、近地轨道（LEO）、地球同步轨道（GEO）、深空任务、地球观测和通信的太空解决方案。公司拥有超过100,000个飞行的MMICs，采用先进的GaAs和GaN技术，提供裸片或封装的目录产品、晶圆代工服务和ASIC设计服务。UMS的产品已在GEO轨道以上飞行，并符合ESA/ESCC标准。
UMS - PHASE SHIFTER,VCO,OSCILLATOR,降频转换器,MULTIPLIER,DOWN CONVERTER,振荡器,POWER DETECTOR,中功率放大器,功率检测器,GAN POWER TRANSISTORS,放大器,TRANSISTOR,倍增器,氮化镓功率晶体管,衰减器,晶体管,低噪音放大器,ATTENUATOR,AMPLIFIER,移相器,HPA,开关,SWITCH,LNA,MPA,CHA2063A99S,CHT4690-FAB,CHK8101-SYC,CHA6710-FAB,CHA5350-99F,CHA2394-99S,CHA3689-99S,CHA5115-99S,CHA5350-99S,CHA7115-99S,CHA3656-FAB,CHS5100-99S,CHV1206A98S,CHA6652-98S,CHT4016-99S,CHKA012BSYA,CHA5266-FAB,CHA2110-QDG,CHS5104-99S,CHP4010-99S,CHA2090-99F,CHX2193-99S,CHA6710-99S,CHA8710-99S,CHK9014-99F,CHK8201-SYA,CHA6551-99S,CHA3666-99F,CHP3015-99S,CHE1270-QAG,CHT4660-FAB,CHA3801-99S,CHA3666-99S,CHA2110-99S,CHT3091A99F,CHA3666-QAG,CHA8054-99S,CHT4690-99S,CHX2089-99S,CHT3091-FAB,CHT4012A98S,CHT3091A99S,EC2612-99S,CHA2066-99S,CHE1270A99S,CHA4253-FAB,CHA5266-99F,CHA3023-99S,CHX2090-99S,CHA2098B99S,CHR3693-FAB,CHA6550-98F,CHT4694-99S,CHE1270A99F,CHA3801-FAB,CHA2069-FAB,CHP6013-SRF,CHA8352-99S,CHA8710A99F,CHS5104-FAB,CHA3666-FAB,CHX2193-FAB,CHA3024-FDB,CHV1203A98S,GEO,深空任务,NEW SPACE,LEO,新空间,DEEP SPACE MISSIONS,EARTH COMMUNICATIONS,EARTH OBSERVATION,地球观测,地理,地球通信
【应用】eGaN FET EPC2007C成功助力16线、32线等多线激光雷达发射端纳秒级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中，为实现雷达高分辨率的设计，需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求，需要采用GaN搭配高功率Laser器件来实现。EPC2007C为EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），已经成功的应用在16线、32线等激光雷达设计上。
我们最新发布的国防产品精选
UMS公司推出一系列新型GaN和GaAs元器件，用于雷达和电子战应用。产品包括LNA放大器和MPA放大器，涵盖不同频段和性能参数。详情请访问UMS官方网站www.ums-rf.com。
UMS - 氮化镓功率晶体管,PHASE SHIFTER,衰减器,低噪音放大器,ATTENUATOR,AMPLIFIER,移相器,中功率放大器,GAN POWER TRANSISTORS,HPA,放大器,LNA,MPA,CHA7618-99F,CHA7452-99F,CHT4660-FAB,CHA3409-98F,CHK8101-SYC,CHA5618-99F,CHA8312-99F,CHA6710-99F,CHA6710-FAB,CHA8618-99F,CHA7063-QCB,CHA3395-98F,CHKA011ASXA,CHA4314-98F,CHP4010-99F,CHKA012BSYA,CHA8054-99F,CHA7455-99F,CHKA012A99F,CHA2595-QDG,CHA8710-QDB,CHA8612-QDB,CHA5005-QDG,CHK8201-SYA,CHK5010-99F,CHA3024-FDB,CHA8610-99F,CHA8212-99F,L-X-BAND APPLICATIONS,L-X波段应用,电子战应用,RADAR APPLICATIONS,宽频的,雷达应用,WIDEBAND,DEFENSE,国防,ELECTRONIC WARFARE APPLICATIONS
高功率氮化镓射频
该资料主要介绍了UMS公司提供的GaN（氮化镓）射频功率产品，包括GaN功率条、内部匹配的GaN功率晶体管和封装的MMIC（单片微波集成电路）。产品适用于多种应用，如国防、空中交通、卫星和卫星通信。资料详细列出了不同产品的型号、工作频率、增益、饱和功率、效率、偏置电流和电压等参数。此外，还提供了产品图片和公司联系方式。
UMS - GAN微波单片集成电路,氮化镓电源棒,HIGH POWER AMPLIFIERS,SWITCHES,GAN POWER BARS,GAN MMICS,INTERNALLY MATCHED GAN POWER TRANSISTORS,开关,内部匹配的氮化镓功率晶体管,大功率放大器,CHS7012-99F,CHS8618-99F,CHA8710-99F,CHK8015-99F,CHK9014-99F,CHA6710-99F,CHK9013-99F,CHA8610-QYG,CHA8611-99F,CHZ8012-QJA,CHZ9012-QFA,SATELLITES,POINT TO POINT,SATCOM,空中交通,AIR TRAFFIC,卫星通信,POINT TO MULTIPOINT,点对点,点对多点,DEFENSE,国防,卫星
由Cree赞助的高效时代的半导体与高效功率转换
本文探讨了基于氮化镓（GaN）的功率FET在效率时代半导体行业中的应用。文章指出，尽管GaN-on-Si功率FET尚未成为主流，但其在无线电力传输、射频包络跟踪、卫星和航空电子电源以及激光雷达等新兴应用中显示出巨大潜力。此外，GaN技术还被用于高功率密度和效率的移动应用，以及电信电源领域。文章还强调了GaN器件在辐射耐受性方面的优势，特别是在卫星通信和航空电子应用中。
EPC - GAN FETS,氮化镓场效应晶体管
CHK5010-99F 4W功率晶体管SiC氮化镓高电子迁移率晶体管
该资料介绍了CHK5010-99F型4瓦氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT），这是一种基于碳化硅衬底的射频功率放大器。产品具有宽频带能力，最高可达12GHz，支持脉冲和连续波操作模式。其主要特点是采用氮化镓技术，提供高输出功率和高功率附加效率。
UMS - POWER TRANSISTOR,氮化镓高电子迁移率晶体管,GALLIUM NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR,功率晶体管,GAN HEMT,CHK5010-99F,CHK5010-99F/00,射频功率应用,RF POWER APPLICATIONS
氮化镓技术：0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺
该资料主要介绍了GH15 GaN工艺，这是一种针对高功率、高PAE和高线性度优化的GaN HEMT工艺。GH15工艺适用于40GHz频率范围，支持工业级空间应用。该工艺采用热散发的SiC衬底，功率密度可达4.2W/mm。主要特点包括MIM电容器、电感器、空气桥、金属电阻、通孔和两层金属互连层。GH15工艺适用于设计高功率和高PAE放大器、鲁棒的LNA和高功率开关。应用领域包括Pt到Pt无线电、5G、卫星通信、雷达、宽带放大和Hi-Rel产品。资料还提供了工艺的主要性能参数，如Vt、功率密度、Ids+、Gm、VdsDC、NF/Gass、Fmax、MIM密度、金属电阻和最大使用频率。
UMS - 氮化镓高电子迁移率晶体管工艺,GAN HEMT PROCESS,GH15,PT TO PT RADIO,5G,宽带放大,SATCOM,雷达,RADAR,卫星通信,HI-REL PRODUCTS,HI-REL产品,点对点无线电,BROADBAND AMPLIFICATION
用于高分辨率激光雷达的氮化镓高电子迁移率晶体管激光驱动器参考设计
本文介绍了ROHM公司针对高分辨率激光雷达应用开发的激光驱动参考设计。该设计采用GaN HEMT（EcoGaN™）和GaN门驱动器，以及高功率激光二极管，旨在提高激光雷达的性能。文章详细描述了这些关键组件的特点，包括高功率激光二极管的窄光发射宽度、GaN HEMT的高速度开关特性，以及GaN门驱动器的快速响应能力。此外，还提供了激光驱动参考设计的详细信息，包括电路图、PCB Gerber和BOM等设计数据，以帮助用户快速实现产品开发。
ROHM - 高速单通道栅极驱动器,LASER DIODE,GATE DRIVER,HIGH-SPEED 1-CHANNEL GATE DRIVER,闸门驱动器,激光二极管,激光驱动器,LASER DRIVER,HIGH-PRECISION HIGH-POWER LASER DIODE,氮化镓高电子迁移率晶体管,高精度大功率激光二极管,BOARD,高速栅极驱动器IC,HIGH-SPEED GATE DRIVER IC,GAN HEMT,板,REFLD002-1,REFLD002-2,RLD90QZWJ,RLD90QZWD,RLD90QZWC,RLD90QZWB,RLD90QZWA,GNE1008TB,RLD90QZW8,GNE1015TB,BD2311NVX-C,GNE1040TB,BD2311NVX-LB,RLD90QZW3,ROBOT VACUUM CLEANERS,自动引导车辆,高分辨率激光雷达,HIGH-RESOLUTION LIDAR,AUTOMATED GUIDED VEHICLES,AGVS,机器人吸尘器,自动导引车
电子商城
品牌：UMS
品类：GaAs Monolithic Microwave IC
价格：￥169.1086
现货： 1,503
服务
可定制VC厚度最薄0.25±0.03mm，Qmax 650W，0.4mmVC可设计最大散热面积6000 mm2，铜VC可采用复合毛细结构：蚀刻+铜粉烧结。
最小起订量： 10000 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论