【产品】 1200V/80mΩ的SiC MOSFET IV1Q12080T4，TO247-4封装
瞻芯电子的SiC MOSFET IV1Q12080T4，漏源电压1200V，采用TO247-4封装，该产品存储温度范围为-55℃~175℃，工作结温范围为-55℃~175℃，适用于光伏逆变器、UPS 电源 、电机驱动、高压 DC/DC变换器 、开关电源等。
特点
●高压、低导通电阻
●高速、寄生电容小
●高工作结温
●快速恢复体二极管
应用
●光伏逆变器
●UPS 电源
●电机驱动
●高压 DC/DC 变换器
●开关电源
最大额定值(Tc=25°C 除非特别说明)
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