【产品】漏源电压为650V的N沟道功率MOSFET RU18N65P，其单脉冲雪崩能量为500mJ

时间： 2022-03-25 来源：锐骏半导体

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锐骏半导体（Ruichips）推出的RU18N65P是一款采用TO220F封装的N沟道功率MOSFET，具有低反向传输电容和超低栅极电荷等特性，产品可用于电源转换开关等多种应用。该产品的漏源电压为650V，栅源电压为±30V，漏极持续电流为18A@T_C=25℃、V_GS=10V，最大耗散功率为260W@T_C=25℃，单脉冲雪崩能量为500mJ。锐骏独创的TO-220内绝缘封装技术，彻底解决了终端客户在散热和装配上的技术难点。

特性：

• 650V/18A

• R_{DS (ON)}=410mΩ(Typ.)@V_GS=10V

• 低反向传输电容

• 超低栅极电荷

• 100% 雪崩测试

• 提供无铅和绿色设备（符合 RoHS 标准）

应用：

• 开关模式电源中的 AC/DC 电源转换（开关电源）

• 适配器

• PWM 电机控制

绝对最大额定值

电气特性：(Tc=25℃除非另外说明）

注释：

①脉冲宽度受安全工作区限制。

②根据最大允许结温计算出的连续电流。

③受T_Jmax限制，I_AS =10A，V_DD = 100V，R_G = 50Ω，启动T_J = 25°C

④脉冲测试；脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%。

⑤设计保证，无需生产测试

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