【产品】漏源电压为650V的N沟道功率MOSFET RU18N65P，其单脉冲雪崩能量为500mJ
锐骏半导体（Ruichips）推出的RU18N65P是一款采用TO220F封装的N沟道功率MOSFET，具有低反向传输电容和超低栅极电荷等特性，产品可用于电源转换开关等多种应用。该产品的漏源电压为650V，栅源电压为±30V，漏极持续电流为18A@TC=25℃、VGS=10V，最大耗散功率为260W@TC=25℃，单脉冲雪崩能量为500mJ。锐骏独创的TO-220内绝缘封装技术，彻底解决了终端客户在散热和装配上的技术难点。
特性：
• 650V/18A
• RDS (ON) =410mΩ(Typ.)@VGS=10V
• 低反向传输电容
• 超低栅极电荷
• 100% 雪崩测试
• 提供无铅和绿色设备（符合 RoHS 标准）
应用：
• 开关模式电源中的 AC/DC 电源转换（开关电源）
• 适配器
• PWM 电机控制
绝对最大额定值
电气特性：(Tc=25℃除非另外说明）
注释：
①脉冲宽度受安全工作区限制。
②根据最大允许结温计算出的连续电流。
③受TJmax限制，IAS =10A，VDD = 100V，RG = 50Ω，启动TJ = 25°C
④脉冲测试；脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%。
⑤设计保证，无需生产测试
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