【产品】焊球间距为1mm氮化镓功率晶体管EPC2029,可承载大电流
宜普电源转换公司(EPC)推出的EPC2029增强型功率晶体管为氮化镓(eGaN)器件,与传统器件相比,它有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流以及卓越的热性能。EPC2029使用高效、具有宽间距的芯片规模封装,可易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。可应用在高速DC-DC电源转换,马达驱动器,工业自动化,同步整流,D类音频放大器等领域。
氮化镓功率晶体管EPC2029采用更宽间距连接的布局,焊球间距为1mm,符合RoHS标准,无卤素,封装尺寸为4.6mm×2.6mm,更宽阔的间距可在元件的底部放置额外及较大的通孔,使得小尺寸的元件可以具备大电流承载能力。
氮化镓功率晶体管EPC2029的漏源连续电压为80V,漏极连续电流在TA=25˚C,RΘJA=9˚C/W时最大值为48A,脉冲漏极电流在25˚C,TPULSE=300 µs时,最大值为360A;漏源通态电阻RDS(on)较低,在VGS= 5V,ID=30A时,最大值为3.2mΩ,能够有效降低导通损耗,减少产热,提高效率。漏源恢复电荷为0,最大程度的降低了输出电荷的损耗,使开关转换时的噪声更低,更高效,提升了FET开关应用的品质因数。操作温度和存储温度均为-40℃~150℃,符合军品级器件的温度要求,能够胜任各种苛刻的应用环境,可靠性极高。
氮化镓功率晶体管EPC2029产品图
EPC 氮化镓功率晶体管EPC2029主要特点和优势:
·宽间距连接布局,具备大电流承载能力
·低开关损耗、低功率驱动实现高开关频率
·低传导及开关损耗实现高效
·细小尺寸实现高功率密度
EPC 氮化镓功率晶体管EPC2029主要应用:
·DC-DC电源转换
·马达驱动器
·工业自动化
·同步整流
·D类音频放大器
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阿尼古 Lv8. 研究员 2022-11-15感谢分享
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bigv Lv5. 技术专家 2018-11-22很不错,可以用一下
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AOD Lv6. 高级专家 2018-11-21学习了
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李四 Lv7. 资深专家 2018-11-19不错,学习了
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yingqiming Lv7. 资深专家 2018-11-09不错
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宜普电源转换公司(EPC)的EPC2104为单片式半桥增强型功率晶体管为氮化镓(eGaN)器件,与传统器件相比,它有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流以及卓越的热性能。它的漏源连续电压高达100V,支持较高电压电路,可以胜任苛刻的应用环境,可应用在高频DC-DC转换,马达驱动器等领域。
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EPC 氮化镓功率晶体管EPC2024符合RoHS标准,无卤素,封装尺寸为6.05mm×2.3mm,适合高功率密度应用,操作温度和存储温度均为-40℃~150℃,符合军品级器件的温度要求,能够胜任各种苛刻的应用环境,可靠性极高。EPC2024可应用在高频DC-DC转换,电机驱动,工业自动化,同步整流,浪涌保护装置,负载点(POL)转换器等领域。
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
【应用】EPC氮化镓功率晶体管助力DTOF激光雷达设计,具有低温度系数,导通电阻低至50mΩ
在某家DTOF激光雷达的产品设计中,需要一款氮化镓用于激光驱动开关。本项目的激光雷达是用于扫地机器人上的,项目要求Vbus为30V,Ipeak为30A,Frequency为10MHz,本文推荐一款EPC的氮化镓晶体管EPC2019。
EPC2069–增强型功率晶体管规格书
描述- 本资料为EPC2069增强型功率晶体管的规格说明书。该器件采用氮化镓技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高开关频率和高效率等特点,适用于高频DC-DC转换器、BLDC电机驱动器和同步整流等领域。
型号- EPC2069
EPC(宜普)增强型氮化镓功率晶体管技术简介(中文版)
描述- 本文介绍了eGaN® FET技术,一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比,eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势,包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等,并提供了选型指南和设计支持资源。
型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
EPC2307–增强型功率晶体管数据表
描述- 本资料详细介绍了EPC2307增强型功率晶体管,一款基于氮化镓(Gallium Nitride)技术的功率器件。该器件具有极低的导通电阻(RDS(on)),适用于高频开关应用,同时具备低开关损耗和零反向恢复损耗的特点。资料中提供了产品的主要参数、特性、应用领域以及封装信息。
型号- EPC2307
EPC2066–增强型功率晶体管,VDS 40 V,RDS(ON)1.1 mΩ(最大值),ID 90 A
描述- 本资料介绍了EPC2066增强型功率晶体管,一款基于氮化镓(Gallium Nitride)技术的器件。该器件具有极低的导通电阻RDS(on)、高电子迁移率和低温度系数,适用于高频开关和高效率转换应用。
型号- EPC2066
增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2050,EPC9126,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC2065,EPC90151,EPC90152,EPC21702,EPC2100,EPC2067,EPC2221,EPC21701,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC9507,EPC2031,EPC2152,EPC9063,EPC9126HC,EPC9186,EPC2204A,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2044,EPC9194,EPC2012C,EPC9049,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC7020,EPC9160,EPC9040,EPC2302,EPC2001C,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC9177,EPC9167HC,EPC9179,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9176,EPC9170,EPC9050,EPC9171,EPC9051,EPC9172,EPC7007,EPC2034C,EPC7002,EPC9148,EPC2071,EPC7001,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC9144,EPC90140,EPC23104,EPC2111,EPC7004,EPC7003,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC7019,EPC7018,EPC9038,EPC9159,EPC9039,EPC9156,EPC21603,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC2088,EPC7014,EPC21601,EPC9158,EPC90122,EPC9151,EPC90123,EPC90120,EPC9153,EPC90121,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128
EPC2308–增强型功率晶体管数据表
描述- 该资料详细介绍了EPC2308增强型功率晶体管的产品特性、应用领域和设计建议。EPC2308是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,具有低导通电阻、高开关频率和低开关损耗等特点,适用于高效能转换应用。
型号- EPC2308
EPC2088–增强型功率晶体管
描述- 本资料介绍了EPC2088增强型功率晶体管,一款基于氮化镓(GaN)技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻和优异的热性能,适用于高效率电源转换应用。
型号- EPC2088
EPC2065–增强型功率晶体管
描述- 本资料为EPC2065增强型功率晶体管的规格书。该器件采用氮化镓技术,具有低导通电阻(RDS(on) = 3.6 mΩ)、高电流承载能力(ID = 60 A)和高频率性能。适用于高效能转换应用,如DC-DC转换器、BLDC电机驱动器和同步整流。
型号- EPC2065
EPC2934C–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET规格书
描述- 本资料详细介绍了EPC2934C增强型功率晶体管,一款基于氮化镓(Gallium Nitride)技术的功率器件。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高电流承载能力、优异的热性能和快速开关特性,适用于高效能转换应用。
型号- EPC2934C
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型,最大耐压15V-350V,持续电流0.5A-90A,导通阻抗1.45Ω-3300mΩ,导通电荷0.044nC-19nC,峰值电流0.5A-590A。
产品型号
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品类
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最大耐压(V)
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装(mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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选型表 - EPC 立即选型
电子商城
现货市场
服务
可定制共模扼流圈、DIP功率扼流圈、大电流扼流圈、环形扼流圈/线圈等产品,耐温范围-40℃~125℃,电感量最高1200mH。
最小起订量: 1 提交需求>
可定制ATP TE Cooler的冷却功率:40~200W;运行电压:12/24/48V(DC);控温精度:≤±0.1℃; 尺寸:冷面:20*20~500*300;热面:60*60~540*400 (长*宽;单位mm)。
最小起订量: 1 提交需求>
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