【产品】25V/10mA硅N沟道结型场效应管CMPFJ310，专为超高频/甚高频放大器
美国中央半导体公司 （ Central Semiconductor ）是世界顶级分立半导体生产商，该公司拥有世界上最强大的产品阵容，既有知识产权含量较高的专用产品，也有多领域的创新产品。CMPFJ310是一款由美国Central公司推出的N沟道结型场效应晶体管（JFET），该产品是专门为了针对甚高频（VHF）和超高频（UHF）放大器应用而设计生产。该器件选用SOT-23紧凑型贴片封装结构，使用环氧树脂封装，其优点有体积小，重量轻，绝缘性好，热阻低等。
图1 CMPFJ310硅N沟道结型场效应管的封装示意图
CMPFJ310硅N沟道JFET，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，它是一种电压控制元件。该器件是由p-n结栅极(G)与源极(S)和漏极(D)构成的一种具有放大功能的三端有源器件，其工作原理就是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制。该器件作为电压控制器件，只需一个极小功率的输入信号，就能驱动工作。同时作为多数载流子导电的器件，具有速度快，噪声低的优点。
图2 CMPFJ310硅N沟道结型场效应管的封装尺寸示意图
CMPFJ310硅N沟道JFET的功率损耗极低，理论最大值仅为350mW，实际使用时远远达不到此数据，为一款低功耗的节能型产品。其极间电容在测试环境下最高仅为Ciss=5.0pF，Crss=2.5pF，具有较好的高频性能；该器件的工作温度范围为-65°C~+150°C，极强的耐高温和耐低温工作能力，即使在各种严苛的工作环境中使用也不存在任何问题，能保证器件的工作性能。其热阻θja也仅为357°C /W，保证了器件输出的热稳定性。在标准环境25°C的条件下，其栅极电流最大值IG 可达到10mA，同时从栅极、漏极到源极的电压均为25V。
CMPFJ310硅N沟道结型场效应管的主要特点：
• 电压控制器件，小功率电流输入
• 速度高，噪音系数低
• 输入阻抗大，便于匹配
• 输出精度高，噪声低
• 功耗低，理论最大值为350mW
• 极间电容低，测试环境下Ciss=5.0pF，Crss=2.5pF
• 器件的热稳定性好，热阻θja=357°C /W
CMPFJ310硅N沟道结型场效应管的典型应用：
• 甚高频（VHF）放大器
• 超高频（UHF）放大器
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