【产品】UMS新推15W GaN晶体管CHK8101-SYC，适用于高达6GHz的高性能射频功率应用
CHK8101-SYC是一款优异的15W GaN晶体管，适用于高达6GHz的高性能射频功率应用。CHK8101-SYC适用于多种射频功率应用的宽带解决方案，例如多用途、太空和电信应用。
具有DC至6GHz电路的CHK8101-SYC拥有多种优势，如15W以上的高功率，64%以上的优异效率，以及50V@100mA的低功耗特性。CHK8101-SY可用于脉冲和CW操作模式。
CHK8101-SYC的设计基于UMS 0.5µm空间评估的专有GaN技术。在一系列符合太空要求的密封封装功率晶体管中，CHK8101-SYC是第一款符合相关要求的器件。
Pout 和 Pae 的模拟源和负载阻抗（VDS=50V，ID_Q=100mA）
注：这些值基于由封装引线和PCB之间连接定义的参考平面
CHK8101-SYC的主要特性
15W GaN功率封装晶体管
DC ~ 6GHz
脉冲和连续波操作模式
高功率 > 15W
效率高，可达64%
增益：19dB
低功耗：50V@100mA
MTTF >106小时 @ Tj = 200°C
密封陶瓷金属法兰封装
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 15
本文由西瓜头头大翻译自UMS，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（15）
-
![]()
jishizhong Lv9 2022-10-18学习了 -
![]()
![]()
PAN1 Lv4. 资深工程师 2022-10-14学习 -
![]()
![]()
LF110102 Lv3. 高级工程师 2022-10-10感谢分享！ -
![]()
![]()
AI时代 Lv7. 资深专家 2022-09-21感谢分享！ -
![]()
![]()
牛xiansheng Lv5. 技术专家 2022-09-13感谢分享 -
![]()
![]()
阿尼古 Lv8. 研究员 2022-09-13感谢分享 -
![]()
![]()
大袁先生 Lv5. 技术专家 2022-09-09学习 -
![]()
![]()
zwjiang Lv9. 科学家 2022-09-08学习学习 -
![]()
![]()
婉怡 Lv5. 技术专家 2022-09-03学习 -
![]()
![]()
佳1佳 Lv7. 资深专家 2022-09-03学习
正在努力加载……相关推荐
【产品】宽带功能高达8GHz的氮化镓高电子迁移率晶体管CHK9013-99F，兼容脉冲和CW操作模式
UMS推出的CHK9013-99F是一款85W氮化镓高电子迁移率晶体管。晶体管的电路采用0.25μm栅长GaN HEMT技术在SiC衬底上制造，产品以裸芯片形式供应并需要外部匹配电路, 尺寸大小为0.9x4.27x0.1mm，能够为各种射频功率应用提供比较全面的解决方案，可运用于雷达和通信领域。
新产品 发布时间 : 2018-12-23
【产品】130W封装氮化镓高电子迁移率晶体管，射频功率应用首选
UMS的CHKA011-SXA是一款氮化镓高电子迁移率晶体管，具有所有GaN关键优势，高功率、高效率以及高达1.5GHz工作频率的宽带能力，兼容脉冲和CW操作模式，为各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案，非常适用于雷达和通信等领域中。
新产品 发布时间 : 2017-09-25
【产品】输出功率20W的小尺寸GaN HEMT晶体管CHK8101a99F，适用于雷达和电信等射频功率应用
UMS公司2019年推出了一款20W功率的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8101a99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。它采用基于SiC衬底的0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，符合相关规范特别是RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006的指令。CHK8101a99F以裸芯片形式提供并需要外部匹配电路。
新产品 发布时间 : 2019-04-03
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型表
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5，Saturated Power(W)：14-180，Bias(mA)：0.1-1300，Bias(V)：30-50.
|
产品型号
|
品类
|
Glin(dB) @ Freq(GHz)
|
Operating Frequency(GHz)
|
Saturated Power(W)
|
PAE(%) @ Freq(GHz)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
|
CHKA011aSXA
|
氮化镓功率晶体管
|
23.5 @ 0.44
|
Up to 1.5
|
130
|
75 @ 0.44
|
640
|
50
|
Ceramic Metal Flange
|
选型表 - UMS 立即选型
UMS SATCOM PRODUCTS:High performanceMMICs in L, S, C, X, Ku, Ka and Q Bands
型号- CHT4690-FAB,CHK8101-SYC,CHA8312-99F,CHA6550-98F/QXG,CHA2362-98F,CHR3762-QDG,CHA8252-99F,CHA8254-99F,CHT4660-QAG,CHA3688AQDG,CHA3395-98F/QDG,CHT3091-FAB,CHA2352-98F,CHA6262-99F,CHA3666-FAB/99F/QAG,CHA8262-99F,CHA4253-FAB / QQG,CHA4253A98F,CHA8054-99F,CHA4107-99F / QDG,CHA5266-FAB,CHR3352-QEG,CHA8352-99F,CHA3656-QAG,CHA8611-99F,CHA8012-99F,CHA3396-QDG,CHA2069-FAB,CHA6710-FAB/99F,CHA3801-FAB,CHA6653-98F/QXG,CHA8612-QDB,CHA6551-99F,CHA5005-QDG,CHA6652-98F/QXG,CHR3693-FAB/99F/QDG,CHA8610-99F,CHA6352-QCB,CHA2595-98F / QDG
UMS CHK8013-99F 14W功率晶体管数据手册
描述- CHK8013-99F GaN HEMT on SiC 14W Power Transistor datasheet
型号- CHK8013-99F,CHK8013-99F/00
电子商城
品牌：UMS
品类：GaAs Monolithic Microwave IC
价格：￥169.1086
现货： 1,503
服务
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN；IC包装Tray/Tube/Tape；IC厂商不限，交期1-3天。支持IC测试（FT/SLT），管装、托盘装、卷带装包装转换，IC打印标记加工。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论