【产品】UMS新推15W GaN晶体管CHK8101-SYC，适用于高达6GHz的高性能射频功率应用
CHK8101-SYC是一款优异的15W GaN晶体管，适用于高达6GHz的高性能射频功率应用。CHK8101-SYC适用于多种射频功率应用的宽带解决方案，例如多用途、太空和电信应用。
具有DC至6GHz电路的CHK8101-SYC拥有多种优势，如15W以上的高功率，64%以上的优异效率，以及50V@100mA的低功耗特性。CHK8101-SY可用于脉冲和CW操作模式。
CHK8101-SYC的设计基于UMS 0.5µm空间评估的专有GaN技术。在一系列符合太空要求的密封封装功率晶体管中，CHK8101-SYC是第一款符合相关要求的器件。
Pout 和 Pae 的模拟源和负载阻抗（VDS=50V，ID_Q=100mA）
注：这些值基于由封装引线和PCB之间连接定义的参考平面
CHK8101-SYC的主要特性
15W GaN功率封装晶体管
DC ~ 6GHz
脉冲和连续波操作模式
高功率 > 15W
效率高，可达64%
增益：19dB
低功耗：50V@100mA
MTTF >106小时 @ Tj = 200°C
密封陶瓷金属法兰封装
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UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型表
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5，Saturated Power(W)：14-180，Bias(mA)：0.1-1300，Bias(V)：30-50.
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产品型号
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品类
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Glin(dB) @ Freq(GHz)
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Operating Frequency(GHz)
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Saturated Power(W)
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PAE(%) @ Freq(GHz)
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Bias(mA)
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Bias(V)
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Case
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CHKA011aSXA
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氮化镓功率晶体管
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23.5 @ 0.44
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Up to 1.5
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130
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75 @ 0.44
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640
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50
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Ceramic Metal Flange
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选型表 - UMS 立即选型
CE65H450DNCI氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管数据表
描述- 该资料详细介绍了Corenergy公司生产的CE65H450DNCI系列650V、450mΩ氮化镓（GaN）FET器件。这些器件具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻，与传统硅器件相比，提供更高的效率、更高的功率密度和更小的系统尺寸和重量。资料中还包括了产品的电气参数、热阻、典型特性和封装尺寸等信息。
型号- CE65H450DNCI,CE65H450DNCI SERIES
RC65D270B氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- RC65D270B系列650V GaN HEMT是RealChip公司生产的650V、270mΩ氮化镓场效应晶体管，具有低栅极电荷、快速开关速度和低动态导通电阻等特点，适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机、工业等领域。
型号- RC65D270B,RC65D270B SERIES
CHK5010-99F 4W功率晶体管SiC氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 该资料介绍了CHK5010-99F是一款基于氮化镓（GaN）HEMT技术的4瓦功率晶体管。它适用于多种射频功率应用，具有宽频带能力，最高可达12GHz，支持脉冲和连续波操作模式。芯片尺寸为0.90x0.80x0.1毫米，符合RoHS和REACH环保标准。
型号- CHK5010-99F,CHK5010-99F/00
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型号- GLMA1P5015AD
高功率氮化镓射频
描述- 该资料主要介绍了UMS公司提供的GaN（氮化镓）射频功率产品，包括GaN功率条、内部匹配的GaN功率晶体管和封装的MMIC（单片微波集成电路）。产品适用于多种应用，如国防、空中交通、卫星和卫星通信。资料详细列出了不同产品的型号、工作频率、增益、饱和功率、效率、偏置电流和电压等参数。此外，还提供了产品图片和公司联系方式。
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型号- GHSD6P0008AT
用于多用途相控阵雷达的X波段AESA芯片组氮化镓和GaAs解决方案
描述- 本资料介绍了适用于多用途相控阵雷达的GaN和GaAs解决方案，包括X波段AESA芯片组。内容涵盖防御、空中交通和卫星应用，强调高性能、高效率和可靠性。资料详细列出了低噪声放大器、驱动放大器、高功率放大器、GaN HEMT晶体管、核心芯片、衰减器、移相器和反射式SPDT开关等产品的规格和参数。此外，还提供了UMS公司的解决方案构建工具和全球分销商信息。
型号- CHS8618-99F,CHA6710-99F,CHA6710-FAB,CHS5100-99F,CHA6105-99F,CHA7215-99F,CHT3029-QEG,CHS7012-99F,CHC3014-99F,CHA8100-99F,CHA6005-QEG,CHP3015-QDG,CHT4016-QEG,CHA8054-99F,CHA7115-99F,CHK8015-99F,CHA2110-QDG,CHA5014-99F,CHA8611-99F,CHA1010-99F,CHA5115-QDG,CHA2063A99F,CHK9014-99F,CHA8710A99F,CHA7114-99F,CHA8610-99F
CHK015A-qia15w功率封装晶体管SiC基氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 该资料介绍了名为CHK015A-QIA的15W功率封装晶体管。这款器件采用氮化镓HEMT工艺制造，适用于多种射频功率应用，包括雷达和电信。其主要特点是宽带能力（高达6GHz）、高功率（大于15W）和高效率（最高达70%）。此外，它还具有低成本塑料封装、低寄生元件和低热阻等特点。
型号- CHK015A-QIA
CHKA011ASXA 130W功率封装晶体管SiC封装氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 该资料介绍了UMS公司的CHKA011aSXA型130W功率封装晶体管。这是一种基于SiC衬底的GaN HEMT，适用于多种射频功率应用，如雷达和电信。其主要特点是宽带能力（高达1.5GHz）、高功率（>130W）和高效率（>70%）。
型号- CHKA011ASXA,CHKA011ASXA/26,CHKA011ASXA/XY
GLSD6P0015BL 15W，28V，DC-6GHz，氮化镓RF非匹配晶体管
描述- 该资料介绍了GLSD6P0015BL是一款15W（P3dB）的28V GaN射频功率晶体管。适用于基站、雷达和远程无线电台在直流至6GHz频率范围内的应用。产品具有低热阻封装，支持连续波和脉冲操作。
型号- GLSD6P0015BL
电子商城
品牌：UMS
品类：GaAs Monolithic Microwave IC
价格：￥169.1086
现货： 1,503
服务
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN；IC包装Tray/Tube/Tape；IC厂商不限，交期1-3天。支持IC测试（FT/SLT），管装、托盘装、卷带装包装转换，IC打印标记加工。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
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授权代理品牌：分立元件
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