【产品】基于I2C总线的64Kb EEPROM存储器BR24G64xxx-5系列
BR24G64xxx-5 系列是罗姆(ROHM)株式会社生产的一款容量为64Kb EEPROM存储器，它是基于I2C总线接口协议的一种高性能EEPROM存储器产品，该系列包括SOP8、SOP-J8、TSSOP-B8、MSOP8、VSON008X2030五种型号产品，能够满足不同尺寸的设计需求，体积小，重量轻，适用于通信、智能家居、自动化办公等应用领域。
BR24G64xxx-5 系列EEPROM存储器产品特点
1. 所有控制均由2个串行时钟（SCL）和串行数据（SDA）端口使能，
2. 具有1.6v~5.5v的宽带工作电压，运行频率1MHZ，
3. 页面写入格式为32个字节，
4. 数据为格式8K×8比特，
5. 低能耗，
6. 具有防止误写入功能，其中加入了写入保护函数以及低电压误写入，
7. 在SCL/SDA输入端内置噪声滤波器。
8. 存储器初始状态为FFh
I2C总线EEPROMBR24G64xxx-5 系列EEPROM不同封装对应尺寸
I2C总线EEPROMBR24G64xxx-5 系列EEPROM存储器产品典型应用
适用于常用的电子设备，如音视频设备、办公自动化设备、通信设备、家居设备以及娱乐设备等。
I2C总线EEPROM常用应用电路
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型号- BD7673AG,SMLEN3BC8T,BA4560RFVM,RBQ20NS65A,RFN20NS6S,BM2LB300FJ-C,BA4560RFVT,RASMID,BD7602GUL,RFUH20NS3S,BD82001FVJ-LB,SMF26V,MD56V72161C-XXTAP,RB058LAM150,SDR,BD50FA1MG-M,BD9109FVM-LB,RB088LAM-60,RB238NS150,SML-D12Y8W,BR25H128,SML-P11DT,VS17VUA1LAM,GMR50/5025,RFUH20NS4S,RGTH40TK65,STM 431J,SCT2280KE,BA82904YFVM-C,CSL1301R2T,ECO 200,BA2902YF-LB,BA4560YFV-M,RB298T100,BD46EXX1G-M,SMF24V,BU7250G,SML-D12U1W,BD71L4LG-1,BR25H160,SFR,BR25A512,RGCL80TK60,RGPR20BM36HR,BD12732FVM,BD12732FVJ,PTM 330,BU7251SG,BA2901YFV-M,BU21181FS,BU7251G,BD87A34FVM,BU7462FVM,BD12732FVT,BD52XXG-2C,LM2903F,RBR30NS30A,BU7291G,MD56V62161M-XXTAL42X,GSSSMR320,LM339F,MD56V72161C-XXTAL42X,BA2901YFV-C,BR93AXX-WM,BA2902SF,SMF22V,SML-D12Y3W,ML610400,BD2066FJ-LB,SCT2160KE,BAXXDD0T,SCM-013RT,LM2904F,BAXXDD0W,BU9829GUL-W,PTM 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复旦微电子（FMSH）MCU/RFID读写器/读卡器IC/串行EEPROM芯片/SPI NOR Flash/SPI NAND Flash闪存选型指南（中文）
描述- 复旦微电子成立于 1998 年 7 月，由复旦大学“专用集成电路与系统国家重点实验室”与上海商业投资公司联合发起。公司专业从事超大规模集成电路的设计与开发，现已形成安全与识别、通用及智能电表专用 MCU、非挥发存储器、智能电器等四大产品和技术发展系列，并能提供完整的系统解决方案。
型号- FM3312,FM33LC045N,FM3313,FM3316,MG33M028,MG33M026,FM25FXX,FM33LG0XX 系列,FM3313 系列,FM33LC046N,FM3203,FM320X 系列,FM33G042,FM33G043,FM25GXX 系列,FM33LC022N,FM3201,FM33L0XX 系列,MG33M046,FM25LGXX,FM33G045,FM33LC045U,FM33G046,FM33G048,FM33A068,FM33L022,FM33L026,FM25FXX 系列,FM33L025,FM33LC043N,FM33L023,MG33M048,M0 系列,FM24CXX 系列,FM33LC042U,FM33A0610,FM3316 系列,FM151M,FM17550,FM33LG0XX,FM33A045,FM33A042,FM33G022,FM33G023,FM33G025,FM33G026,FM33A048,FM33G028,FM33LC043U,FM33L0XX,FM331X 系列,FM38025T-D,FM33LC025N,M0,FM15160,FM15XX 系列,FM25LGXX 系列,FM25LQ,FM38025T-N,FM33LC0XX 系列,MG33M0XX 系列,FM33LC026N,FM33L015,FM33LC026U,FM33LC042N,FM33L013,FM33L012,FM24CXX,FM38025T,FM33LG023,FM33LG022,FM15XX,FM33LG028,FM25Q 系列,FM3312T,MG33M0XX,FM33LG025,FM25QXX,FM33LG026,FM33G0XX,FM25Q,FM33L016,FM33LC025U,FM33LC023N,FM25F,FM17520,FM331X,FM17522,FM25GXX,FM25LQ 系列,FM33LC022U,FM33LC046U,FM25QXX 系列,FM33A0410,FM320X,FM33LG043,FM33LG042,FM33LG045,FM33G0XX 系列,FM33A0XX,FM33LG046,FM33LC0XX,FM33LG048,MG33M0410,FM33LC023U,FM3312 系列,FM33A0XX 系列
何谓 EEPROM？
Electrically Erasable Programable ROM（电可擦可编程非易失存储器）。 安装在电路板上输入电信号，可以改写每个地址的数据。 ROHM的EEPROM可改写的次数达到业界最高水平的100万次，数据可以保存40年。系列中的所有型号产品，其存储器单元都采用ROHM独创的 W-CELL（双单元） 技术，其无可匹敌的高可靠性令人自豪（数据“ 随机失效”为零）。
Rohm＆LAPIS存储器：DRAM、串行EEPROM、FeRAM不同类型存储器，超高可靠性提供汽车级、工业级产品
Rohm（罗姆）及其子公司LAPIS存储器分为两大类，易失性存储器和非易失性存储器；非易失性存储器在掉电情况下仍旧能够保存数据。其存储器主要包括DRAM、串行EEPROM、FeRAM三大类，除了DRAM，串行EEPROM、FeRAM均为非易失性存储器。世强是ROHM代理商，可提供ROHM存储器产品，价格优惠，还可提供ROHM存储器选型指南、数据手册、技术支持等资源服务。
【产品】串行电可擦除编程只读存储器AD24C02，具有接口方便，体积小，数据掉电不丢失等特点
AD24C02是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)。存储器可存储256个字节数据，分为16页，每页16字节，随机字寻址需要8位数据字地址，具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期。
关于EEPROM， 未使用的存储器区域是否也需要写入“0”或“1”的数据？
无需在未使用区域专门写入数据。
ROHM（罗姆）存储器选型指南（中文）
描述- ROHM的EEPROM系列备有多种容量、多种总线接口方式和不同的封装形式，是保存数据用的非易失存储器。
型号- BR24A01A,BRCA016GWZ-W,BR93GXX-3系列,BRCH064GWZ-3,BR25HXXX-2AC,BR24A02,BR24GXXX-3A,BR93AXX-WM系列,BR24A04,BR25H020,BR24H64,BR24A08,BR93H86,BR93G66,BR24G512,BU9897GUL-W,BR24G256,BR25H128,BR25H010,BR25H1M,BR24G32,BR25H256,BR25G320,BR93G76,BR24G128,BU9882,BU9883,BR24TXX-3AM,BR25S128GUZ-W,BR24G64,BU9847GUL-W,BRCB016GWL-3U,BR24H01,BR25H320,BR25HXXX-2AC系列,BR24H02,BRCE064GWZ-3,BR24H04,BR25H040,BR93A46,BR25H160,BR24H08,BR93G86,BU9832GUL-W,BR25A512,BR24AXX-WM,BR93HXX-2C,BR24HXXX-5AC系列,BR24AXX-WM系列,BR25G1M,BR93GXX-3,BRCF016GWZ-3,BR25GXXX5A系列,BR24A16,BRCB032GWZ-3,BR25AXXX-3M系列,BU99022,BR25HXXX-2C系列,BR93A56,BR24H512,BR24H256,BR25HXXX-5AC系列,BR24GXXX-5X,BR34E02,BR25G128,BR93GXX-3A系列,BR93GXX-3B,BR24GXXX-3A系列,BR93GXX-3A,BR24HXXX-5AC,BRCB064GWZ-3,BR24H1M,BR93A66,BR93AXX-WM,BR25G256,BR24G02,BU9891GUL-W,BR24G01,BR24G04,BR24G08,BR24H128,BR24T1M,BU9889GUL-W,BR93H46,BR24TXX-3AM系列,BR25G512,BU9829GUL-W,BR25A256,BR24A32,BR93A76,BR25G640,BR24GXXX-3系列,BR24H16,BR93H56,BR25HXXX-5AC,BR25H512,BR93GXX-3B系列,BR25HXXX-2C,BR24A64,BR34L02,BRCG016GWZ-3,BR24G1M,BR24C21,BR93A86,BR25H640,BR25H080,BR93H66,BU9833GUL-W,BR93G46,BR24GXXX-3,BR24GXXX-5X系列,BRCB008GWZ-3,BR25A1M,BR25GXXX5A,BR93HXX-2C系列,BR25GXXX-3,BR25GXXX-3系列,BR24H32,BR24T512,BR25AXXX-3M,BRCD016GWZ-3,BR93H76,BR93G56,BR24G16
关于EEPROM， 在存储器容量标示方法中，例如，当标示为“64Kbit”时，是否65536bit全部都可读写？
容量单位中的“K”（大写的K）表示1024，容量为“64Kbit”的产品，其存储数为65536bit，可以读写所有的bit。
关于I²C的EEPROM， 在内部写入循环中是否也可以通过WP（写保护）端子取消存储器写入？
BR24G-3/BR24G-3A系列 如写入循环中将WP端子设成“H”，则不接受取消。只有在地址之后第1个字节数据的最低位bit导入时钟启动边缘到停止条件的SDA上升沿的区间，取消才有效。 BR24A-WM/BR24T-3AM系列、BR24L-W/BR24S-W系列 虽然在写入循环中可以通过WP端子强制结束，但是会破坏写入对象的EEPROM数据，变得不稳定。请重新写入。除写入循环之外，其他的情况与BR24G系列一样。
关于SPI的EEPROM， 从微控制器发送写入指令过程中，如果CSB意外上升，是否就会开始存储器的写入？
如果按规定的时钟数发送完成“写入指令+地址+数据”后，会在CSB的上升沿开始写入。如果时钟数多于或少于规定，指令将会被取消，“写指令+地址+数据”寄存器的内容被复位。
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