【技术】低电容ESD二极管的使用注意事项

时间： 2023-05-12 来源：优恩半导体官网

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低电容ESD二极管是一种用于保护电子设备和电路免受静电放电危害的器件。它的原理是通过吸收静电放电产生的电荷来减少电子设备和电路受到的静电放电损害。由于它可以有效地吸收静电放电产生的电荷，因此在电子设备中有广泛的应用。然而，在使用低电容ESD二极管时需要注意一些事项，以保证其使用效果和安全性。本文优恩半导体将为大家介绍。

首先，安装低电容ESD二极管时需要确保其正确安装在电路板或其他电子设备中，并且与其他电子元器件的位置正确。如果安装不正确，可能会导致其性能和使用寿命受到影响。

其次，低电容ESD二极管需要防潮防水，因此在使用时需要注意避免潮湿环境对其造成的影响。如果使用环境潮湿，可能会导致电阻值变化，从而影响其性能和使用效果。

此外，低电容ESD二极管在使用时不要过度使用或长时间工作在高温环境中，以免影响其性能和使用寿命。过度使用或长时间工作在高温环境中可能会导致电阻值变化，从而影响其性能和使用效果。

最后，低电容ESD二极管需要定期检查其性能，及时更换失效的电阻，以保证电路的安全性和可靠性。如果不及时更换失效的电阻，可能会导致电路出现故障，从而影响其使用效果和安全性。

总之，低电容ESD二极管是一种有效的静电防护器件，可以有效地保护电子设备和电路免受静电放电的破坏。在使用时需要注意安装正确、防潮防水、正确使用和定期检查等事项，以确保其性能和使用寿命。

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优恩半导体（UNSEMI）保护器件产品选型指南

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型号- 15SMBJ78CA,SMAJ6.0CA,SMAJ40CA,SMBJ20A-AT,SM8Z20A,15KP58A,UN2K8-400SMD,SMD1206-350,SMDJ78CA,UN3E8-75HM,P0300SC-2L,ESD05V02D-CP,UN3E8-75HP,TPSMB30CA,SMDJ16A-AT,15SMBJ7.5CA,UNC-301N-SMD,TPSMCJ18CA,PESD0603E12V,UN6-200,05D511K,20D241KYC,5.0SMDJ85C,SMDJ36CA-AT,5.0SMDJ85A,K2200G,UN0402E18V120P,SMCJ100CA,ESD15V52D-LCF,5KP30C,5KP30A,SMF120CA,SMBJ150CA,SMDJ170A,SM8Z33CA,TP5.0SMDJ28CA,53D681K,SMDJ170C,3KP80CA,UN2K8-800L,UN135-250,SMCJ30C,32D122K,SMCJ30A,UNA-471M,SA180C,SMAJ70CA-AT,K0900G,SM8Z24A,SA180A,4.0SMF5.0A,15KP54A,20D781KJ,SMF190A,P6KE8.2CA,TPSMA82A,P4KE180A,P4KE180C,14D181KSC,ESD24V26T-5L,20D331KYC,P4SMA82CA,SMF3.3A,TP5.0SMDJ15CA,SM8Z22A,MCM3216B SERIES,SMDJ160CA,SMBJ400CA,SMCJ80CA,SMD1812-200-24V,PXXXXLB,PXXXXLC,P6SMB51CA,PXXXXLA,ESD24V26T-4L,4.0SMF12CA,TPSMB43CA,ESD0402-240E2R5,SMDJ400A-AT,TPSMB110CA,ESD08V88D-C,SMCJ220CA,5.0SMDJ64CA-AT,5.0SMDJ80A,SMCJ440A-AT,10SMBJ40CA,5.0SMDJ80C,P4KE 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【元件】新品！优恩半导体推出面向USB3.1/HDMI2.1等高速数据接口EOS/ESD静电保护器件

在当今高度集成化、小型化和智能化的电子产品市场中，EOS/ESD静电放电防护已成为确保产品稳定性和可靠性的关键因素。随着USB 3.0/3.1、HDMI 2.0/2.1等高速数据接口的广泛应用，EOS/ESD现象对电子产品的威胁日益加剧。优恩半导体推出面向高速数据接口的EOS/ESD静电保护器件。

产品发布时间 : 2024-10-28

优恩半导体（UN Semiconductor）于1994年成立于台湾，专注于ESD静电保护、雷击浪涌保护器件及串口芯片，设有专业的EMC测试整改中心。优恩半导体的ESD、TVS、GDT、MOV、放电管、通信芯片等产品广销全球20多个国家。

ESD静电二极体（ESD）瞬态抑制二极体（TVS）陶瓷气体放电管（GDT）半导体放电管（TSS）玻璃放电管（SPG）压敏电阻（MOV）贴片压敏电阻（MLV）自恢复保险丝（PPTC）熔断保险丝 RS485通讯芯片 RS232通讯芯片 CAN通讯芯片电源保护模组信号保护模组防雷型RJ45网路连接器高速静噪虑波器磁珠高压整流二极体小信号肖特基二极体小信号开关二极体稳压二极体 MOS管双极型电晶体电源管理芯片电源隔离模组信号隔离模组

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优恩半导体TVS瞬态电压抑制二极管选型表

优恩半导体提供以下技术参数的TVS选型：反向截止电压：3.3V~440V；击穿电压（min）：5.2V~492V；击穿电压（max）：6V~543V；测试电流：1mA、5mA、10mA；最大钳位电压 VC @IPP (V)：8V~713V；最大峰值脉冲电流IPP (A)：0.56A~3000A；最大反向漏电流IR @VRWM (μA)：1uA~1000μA；关断电压：10V~85V；最大反向浪涌电流IPP(A)：48A~388A；最大IR @VRWMTJ=175(uA)：150uA、250uA。

产品型号	品类	Reverse Stand-Off Voltage VRWM(V)	Breakdown Voltage VBR (V) @IT MIN	Breakdown Voltage VBR (V) @IT MAX	Test Current IT (mA)	Maximum Clamping Voltage VC @IPP (V)	Maximum Peak Pulse Current IPP (A)	Maximum Reverse Leakage IR @VRWM (μA)	model
8KP24A	Axial Lead Transient Voltage Suppressors	24	26.7	29.5	1	38.9	206	5	Uni