【应用】具有各向异性磁阻效应的AMR传感器在不同场合的应用介绍
世强代理的位置传感器中，有一类经常容易被忽视，就是各向异性磁阻(AMR)元件。AMR属于磁传感器的范畴，与各类磁传感器一样，都通过感应磁场强度，来获得电流、位置、方向等物理参数。AMR主要代表为世强代理的TE AMR sensor。
AMR的特点
1.磁场范围是以地球磁场为中心，可以很好感测地磁场范围内的弱磁场效应，而Hall元件增加聚磁等辅助技术；
2.可与CMOS或MEMS集成在同一硅片上；
3.只需一层磁性薄膜，工艺简单，成本低；
4.高频、低噪声、高信噪比；
AMR应用
这里给大家介绍一些特别适合应用TE AMR sensor的场合。
（1）应用于磁性开关元件
基于AMR的开关传感器元件具有可重复性高、反应时间短和开关频率高等特点。具体应用场合如气缸（尤其是短冲程气缸）的终点检测。
MS32是TE推出的一款采用惠斯通桥结构的磁场传感器，四个电阻均采用坡莫合金制成，具有各向异性磁阻效应。磁场开关点差不多与温度相互独立，通常设置为 Hs=1.85kA/m，这样特性使得其特别适合应用在有一些温度冲击的场合。
图1 TE MS32外形图
图2 TE MS32电路图
由于信号微弱，因此放大率很高。运算放大器推荐圣邦微的SGM723，单电源供电2.1V～5.5V，低噪声，提供轨到轨输出，SOIC-14和TSSOP-14两种封装可选。
（2）某些应用中需要高灵敏度
KMT32B是TE推出的一款基于各向异性磁阻效应的磁场传感器，也就是说，这款传感器可独立于磁场强度感应磁场方向，适用于磁场强度 H>=25kA/m的情况。传感器包含两个平行的惠斯通电桥，每个电桥可以测量45度。下图即是TE KMT32B的实物图。
图3 TE KMT32B实物图
TE的KMT32B具有很高的灵敏度、几乎没有磁滞并且噪声很低。低磁场传感器元件可用于各种具有挑战性的应用，如磁场测量、转数表等。
总结
与磁阻效应传感器相比，Hall效应传感器的历史最悠久，应用最广泛、技术最成熟。世强代理的Melexis开发了霍尔开关及锁存器、线性霍尔元件、三轴霍尔元件、电流传感元件、磁编芯片，可覆盖大多数应用。但在本文提及的某些特种场合，用户可以使用TE的AMR传感器，效果会很好。如果您对此有兴趣或仍有问题可以联系世强400-887-3266。
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用户89279026 Lv7. 资深专家 2018-11-26谢谢分享，学习下知识。 -
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用户21489504 Lv3. 高级工程师 2018-06-19感谢分享
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产品型号
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品类
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CH
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SHDN
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Vᴄᴄ(Min)(V)
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Vᴄᴄ (Max)(V)
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Vᴏs(mV)
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Iq/CH(μA、nA、mA)
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Iʙ(pA)
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GBP(MHz、kHz)
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SR(V/ms、V/μs)
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Eɴᴏɪsᴇ(nV/√Hz、μVᴘᴘ)
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Package
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SGM8545
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低功耗运算放大器
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1
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N
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2.1
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5.5
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3.5
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48μA
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0.5
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1.1MHz
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520V/ms
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27nV/√Hz
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SOT-23-5
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可定制板装式压力传感器支持产品量程从5inch水柱到100 psi气压；数字输出压力传感器压力范围0.5~60inH2O，温度补偿范围-20~85ºС；模拟和数字低压传感器可以直接与微控制器通信，具备多种小型SIP和DIP封装可选择。
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可定制温度范围-230℃~1150℃、精度可达±0.1°C；支持NTC传感器、PTC传感器、数字式温度传感器、热电堆温度传感器的额定量程和输出/外形尺寸/工作温度范围等参数定制。
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