【应用】AGH大学基于UMS GaAs PH25工艺设计传感器和定向耦合器，在《IEEE Access》发表两篇论文
波兰克拉科夫AGH科技大学电子系，在《IEEE Access》上发表了两篇论文，关于使用 UMS GaAs PH25工艺设计的创新电路，UMS对此感到十分荣幸。
AGH 大学采用 UMS 0.25μm GaAs pHEMT 技术(PH25) ，用铸造模式进行设计:
· 用于介电常数测量的24GHz传感器，适用于测量血糖、呼吸中的丙酮、植物中的水、牛奶中的脂肪含量等多种应用
图1 基于 MMIC 技术设计的24ghz 内置校准微波传感器
· 超宽频定向耦合器，覆盖3.9~41GHz 频带，适用于多种宽频应用，例如用于射频测量的波束形成网络接收器或反射计。
图2 MMIC 技术设计的多段超宽带定向耦合器
关于AGH大学MRG：
微波研究小组成立于波兰克拉科夫 AGH大学电子系。
MRG的主要研究重点是实验室和工业应用的宽带无源网络、天线阵列、测量系统、雷达和介电常数传感器。所研究的解决方案是利用微波层压板、3D打印和基于GaAs和GaN衬底的单片技术。
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
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RF Bandwidth (GHz)max
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Loss(dB)
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Isolation(dB)
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Type
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CHS2412-QDG/20
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射频开关
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23
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26
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2.9
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35
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Reflective
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选型表 - UMS 立即选型
UMS射频移相器选型表
UMS射频移相器选型：RF Bandwidth (GHz)-min：1.2-8.5，RF Bandwidth (GHz)-max：1.4-18，Number of Bits：4-6，Insertion Loss(dB)：-10~13，P-1dB IN(dBm)：3-26.
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)-min
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RF Bandwidth (GHz)-max
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Number of Bits
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Phase range(°)
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Insertion Loss(dB)
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Phase Error(°p-p)
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P-1dB IN(dBm)
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Control voltage(V)
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Case
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CHP3010-QFG
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射频移相器
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1.2
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1.4
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6
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360
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7
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-1/+3
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24
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0/3.3 or 5
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QFN
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选型表 - UMS 立即选型
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产品型号
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品类
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Central Output Freq(GHz)
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Resonator Freq
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Tuning(MHz)
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Noise @ 100KHz(dBc/Hz)
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Output Power(dBm)
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Bias(mA)
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Case
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CHV2270-98F/00
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压控振荡器
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12.7
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1.2
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-100
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14
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150
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4.5
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Die
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选型表 - UMS 立即选型
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型号- CHT4690-FAB,CHK8101-SYC,CHA8312-99F,CHA6550-98F/QXG,CHA2362-98F,CHR3762-QDG,CHA8252-99F,CHA8254-99F,CHT4660-QAG,CHA3688AQDG,CHA3395-98F/QDG,CHT3091-FAB,CHA2352-98F,CHA6262-99F,CHA3666-FAB/99F/QAG,CHA8262-99F,CHA4253-FAB / QQG,CHA4253A98F,CHA8054-99F,CHA4107-99F / QDG,CHA5266-FAB,CHR3352-QEG,CHA8352-99F,CHA3656-QAG,CHA8611-99F,CHA8012-99F,CHA3396-QDG,CHA2069-FAB,CHA6710-FAB/99F,CHA3801-FAB,CHA6653-98F/QXG,CHA8612-QDB,CHA6551-99F,CHA5005-QDG,CHA6652-98F/QXG,CHR3693-FAB/99F/QDG,CHA8610-99F,CHA6352-QCB,CHA2595-98F / QDG
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品牌：UMS
品类：GaAs Monolithic Microwave IC
价格：￥169.1086
现货： 1,503
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