【应用】AGH大学基于UMS GaAs PH25工艺设计传感器和定向耦合器，在《IEEE Access》发表两篇论文
波兰克拉科夫AGH科技大学电子系，在《IEEE Access》上发表了两篇论文，关于使用 UMS GaAs PH25工艺设计的创新电路，UMS对此感到十分荣幸。
AGH 大学采用 UMS 0.25μm GaAs pHEMT 技术(PH25) ，用铸造模式进行设计:
· 用于介电常数测量的24GHz传感器，适用于测量血糖、呼吸中的丙酮、植物中的水、牛奶中的脂肪含量等多种应用
图1 基于 MMIC 技术设计的24ghz 内置校准微波传感器
· 超宽频定向耦合器，覆盖3.9~41GHz 频带，适用于多种宽频应用，例如用于射频测量的波束形成网络接收器或反射计。
图2 MMIC 技术设计的多段超宽带定向耦合器
关于AGH大学MRG：
微波研究小组成立于波兰克拉科夫 AGH大学电子系。
MRG的主要研究重点是实验室和工业应用的宽带无源网络、天线阵列、测量系统、雷达和介电常数传感器。所研究的解决方案是利用微波层压板、3D打印和基于GaAs和GaN衬底的单片技术。
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
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RF Bandwidth (GHz)max
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Gain(dB)
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IP3(dBm)
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P-1dB OUT(dBm)
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Sat. Output Power(dBm)
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PAE(%)
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Bias(mA)
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Bias(V)
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Case
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CHA1008-99F
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低噪声放大器
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80
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105
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17
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DC
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5
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DC
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DC
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115
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产品型号
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品类
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Glin(dB) @ Freq(GHz)
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Operating Frequency(GHz)
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Saturated Power(W)
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PAE(%) @ Freq(GHz)
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Bias(mA)
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Bias(V)
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Case
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CHKA011aSXA
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氮化镓功率晶体管
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23.5 @ 0.44
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Up to 1.5
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130
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
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RF Bandwidth (GHz)max
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Loss(dB)
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Isolation(dB)
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Type
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CHS2412-QDG/20
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射频开关
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23
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26
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35
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)-min
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RF Bandwidth (GHz)-max
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Number of Bits
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Phase range(°)
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Insertion Loss(dB)
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Phase Error(°p-p)
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P-1dB IN(dBm)
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Control voltage(V)
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Case
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CHP3010-QFG
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
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RF Bandwidth (GHz)max
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Gain RX(dB)
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Gain TX(dB)
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Pout TX(dBm)
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NF RX(dB)
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Number of Bit Atten.
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Bias(mA)
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Bias(V)
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Case
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CHC2442-QPG
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传感器
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24
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24.5
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37
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VCO incl.
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13.5
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
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RF Bandwidth (GHz)max
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LO Bandwidth (GHz)min
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LO Bandwidth (GHz)max
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IF Bandwidth (GHz)min
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IF Bandwidth (GHz)max
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Conv. Gain(dB)
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Noise Figure(dB)
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P-1dB IN(dBm)
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LO Input Power(dBm)
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Bias(mA)
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Bias(V)
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Case
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CHR3762-QDG
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降频器
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5.5
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9
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4
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12
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DC
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3.5
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14
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-5
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5
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Resonator Freq
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Tuning(MHz)
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Noise @ 100KHz(dBc/Hz)
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Output Power(dBm)
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Bias(mA)
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压控振荡器
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12.7
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