【经验】电容式信号传感器ZSSC3122、ZSSC3123的过压和反极性保护

2019-07-06 IDT(Renesas收购)
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电子系统组件,如IDTRENESAS收购)用于电容式信号传感器的cLite™系列SSC IC中的传感器信号调节器(SSC),可能需要根据工作环境对电源波动和在实施过程中可能发生的异常工作条件进行保护。 cLite™ZSSC3122的工作电压范围为1.8V至5.5V。 cLite™ZSSC3123的电源范围为2.3V至5.5V。


本应用笔记提供了一种低成本的外部保护电路,适用于ZSSC312x系列SSC。保护电路遵循两个主要原则:防止反极性连接和电源线上的过压,并最大限度地减少对IC正常工作的影响。第二部分在比率测量系统中非常重要,其中电源线上的任何电压降将作为测量的偏移出现。保护电路还必须足够快以对瞬态事件作出反应,并且应该具有最小的功耗。


过压保护

过压保护电路如图一所示。保护电路中的主要元件是Q1晶体管。必须选择此部分,记住从电源到IC的所有电压降都取决于该晶体管的特性。恩智浦PBSS5130T器件具有较低的VCEsat电压值,适合应用,尽管可以使用大多数具有低VCEsat的晶体管。晶体管Q2是Q1的控制器件,当电源电压超过设定值时,它将关闭Q1。该阈值取决于D1二极管的齐纳电压和电阻器R1/R2的值。D1,R1和R2的特性共同设定Q2的基极电压。基极电压设置为齐纳电压和R2上的电压降之和。当电源电压上升到一定水平以上(给定元件为5.6V @ 25°C)时,Q2导通,并分别关闭Q1,切断负载电源。当电源电压降至阈值以下时,Q2关闭,Q1再次开启,恢复ZSSC312x的供电。

图一  过压保护电路


反极性保护

需要使用反极性保护来保护IC免受-5V以下的负电压。 对于低至-5V的电源电压,OVP电路也可用作反极性保护。 但是,如果需要低于-5V的保护,则必须添加另一个外部元件。 为此,使用Q3 p沟道MOSFET器件,如图二所示。

图二  反极性保护和过压保护


Q3晶体管是反极性保护元件。 其功能是输入反向电压时,通过自动关断来断开负载供电。 在正常操作下,Q3打开。 体二极管是必要的,因为它提供电路的初始启动条件。 选择晶体管时唯一重要的参数是RDSon。 低通道电阻可确保正常工作期间的低压降。 这里使用的器件是International Rectifier的IRLML5203,但任何具有低RDSon的类似p沟道MOSFET都是合适的。


ZSSC312x具有过压和反极性保护功能电路

图三显示了ZSSC312x电路,具有过压保护和反极性保护功能。

图三  ZSSC312x具有过压和反极性保护功能电路



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