【产品】20V/3A/55mΩ的N沟道增强型MOSFET AS2302，采用SOT-23封装
AS2302是安邦的N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计，具有超低导通电阻：漏源导通电阻RDS(on)MAX为55mΩ@4.5V，80mΩ@2.5V。该产品漏源击穿电压V(BR)DSS为20V，连续漏极电流 ID为3.0A，使用SOT-23封装，可应用于负载开关，DC/DC转换器等。
图1 产品外形图
图2 产品电路图
应用
•负载开关，用于便携式设备
•DC/DC转换器
最大额定值
封装尺寸图
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