【产品】20V/3A/55mΩ的N沟道增强型MOSFET AS2302，采用SOT-23封装

时间： 2020-07-13 来源：安邦

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

AS2302是安邦的N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计，具有超低导通电阻：漏源导通电阻R_DS(on)MAX为55mΩ@4.5V，80mΩ@2.5V。该产品漏源击穿电压V_(BR)DSS为20V，连续漏极电流 I_D为3.0A，使用SOT-23封装，可应用于负载开关，DC/DC转换器等。

图1 产品外形图

图2 产品电路图

应用

•负载开关，用于便携式设备

•DC/DC转换器

最大额定值

封装尺寸图

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 1
| 转发至：

本文由电光刃翻译自安邦，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（1）

好运常伴吾 Lv8. 研究员 2020-07-13

学习了

没有更多评论了

【产品】20V/7A/18mΩ的N沟道增强型MOSFET AS3416E，封装为SOT-23

安邦（ANBON）的N沟道增强型MOSFET AS3416E，具有先进的沟槽工艺技术，ESD保护高达3.5KV（HBM），漏源导通电阻最大值为18mΩ@4.5V，22mΩ@2.5V，39mΩ@1.8V，漏源击穿电压为20V，连续漏极电流为7A，封装为SOT-23，可应用于便携式设备的负载开关，DC / DC转换器等领域。

2020-07-08 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】N沟道增强型MOSFET AM2302，采用SOT-23S封装，可以承受的极限漏源电压为20V

AM2302是AiT推出的N沟道MOSFET，可提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。在环境温度为 25℃时，AM2302可以承受的极限漏源电压为20V，极限栅源电压为±10V，可以承受的极限漏极连续电流为2.9A，适合用于电池保护或其他开关应用。

2019-09-04 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】采用先进沟槽技术的国产N沟道增强型MOSFET AP50N04K，规格40V/40A

铨力半导体推出一款采用TO-252封装的N沟道增强型MOSFET——AP50N04K，采用先进的沟槽技术，具有漏源导通电阻低和栅极电荷低的特性，属于无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等。

2022-07-06 - 新产品代理服务技术支持批量订货

安邦MOS选型表

安邦低阻抗、大电流MOS,电压覆盖到20V至200V,N/P沟道可选，最大工作结温150℃

产品型号	品类	Package	Polarity	VDS(V)	VGS(V)	VGS(th)_Max(V)	ID(A)	RDS(on)_Max(mΩ)4.5V	RDS(on)_Max(mΩ)2.5V	RDS(on)_Max(mΩ)1.8V
AS2002E	MOSFET	SOT-23	N	20V	±12V	1V	0.75A	380mΩ	450mΩ	800mΩ

选型表 - 安邦立即选型

安邦场效应管选型表

车规级别的场效应管，四种类别场效应管，分别是互补式，双通道，N沟道，P沟道，适用于超小型便携式电池管理，电子产品，负载切换，电源切换，接口切换，逻辑电平转换等。

RDS(ON)_Max @ VGS = 4.5V (mΩ)

RDS(ON)_Max @ VGS = 2.5V (mΩ)

RDS(ON)_Max @ VGS = 1.8V (mΩ)

选型表 - 安邦立即选型

TMN2060AD N-Channel Enhancement Mosfet

型号- TMN2060AD

2023/6/14 - 台懋 - 数据手册代理服务技术支持批量订货

安邦LV MOSFET选型表

安邦LV MOSFET选型，技术参数范围：Vdss（耐受的最大电压）：-60V~100V，Id（能通过的电流）：-30A~100A，Rds（导通电阻）：3.5mΩ~18000mΩ

产品型号	品类	Package	Polarity	VDS (V)	VGS (V)	VGS(th)_Max (V)	ID (A)	RDS(on)_Max (mΩ) 4.5V	RDS(on)_Max (mΩ) 2.5V	RDS(on)_Max (mΩ) 1.8V
AS2002E	LV MOSFET	SOT-23	N	20	±12	1	0.75	380	450	800