【产品】1200V 750mΩ SiC MOSFET IV1Q12750P3，采用TO252-3封装

时间： 2021-11-24 来源：瞻芯电子

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瞻芯电子推出的SiC MOSFET IV1Q12750P3，漏源电压值为1200V ，导通电阻典型值为750mΩ。具有高耐压，高速、寄生电容小等特性，采用TO252-3的封装。推荐使用的开通栅源电压值20±0.5V，工作结温范围为-55 ~175°C。

图 1实物图

特点

⚫ 高耐压

⚫ 高速、寄生电容小

⚫ 高工作结温

⚫ 快速恢复体二极管

电气特性

表 1

应用

⚫ 光伏逆变器

⚫ UPS 电源

⚫ 高压 DC/DC 变换器

⚫ 开关电源

封装尺寸

图 2

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