纳芯微将在PCIM Asia 2023展示汽车电子、光伏、储能、充电桩、工业控制等领域的产品和解决方案
2023年8月29日--8月31日在上海新国际博览中心举办2023 PCIM Asia，纳芯微也邀请您来参观。本次纳芯微带来了一各系列产品。
汽车电子
双电容增强隔离技术，自有专利Adaptive OOK®编码技术,高达150kV/μs的CMTI，支持米勒钳位功能，电流高达4A
基于纳芯微电容隔离技术，输出与输入分离，最高5000Vrms绝缘电压，CMTI高达150kV/μs(Typ)
具有3V至40V的宽输入电压，支持瞬态电压高达45V，低至5uA
光伏、储能、充电桩
高精度、高隔离耐压，输入导通阻抗低至0.27mOhm
VDE增强型隔离认证，15mm爬电距离，CMTI高达200kV/μs,优异的系统级EMC性能
光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器NSI6801
兼容光耦输入,自有专利Adaptive OOK®编码技术,高达150kV/μs的CMTI
工业控制
数字输入(DI)隔离器NSI860x
一颗即可替代多颗光耦隔离器，集成电流限制功能，支持双向输入
集成式电流传感器NSM201x
高隔离耐压，强通流能力，高精度，快速过流保护，选型灵活
极短输入输出延迟，支持500mA以上负载电流，260mΩ导通电阻
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本文由玉鹤甘茗转载自纳芯微电子 微信公众号，原文标题为:纳芯微诚邀您参观PCIM Asia 2023：上海，8月29-31日，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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型号- NSI6602NA-DLAR,NCA1051,NSI6602VC-Q1SWR,NSI6622NB-Q1SWKR,NCA1051N-Q1SPR,NSM2017,NSI6602NC-Q1SWR,NSM2019,NSI6602A-Q1SWKR,NSM2013,NIRS485,NSIP83086,NSI6622VB-Q1SPOR,NSM2015,NSM2016,NSC9260X,NSD1624-Q1SPR,NSM2011,NSM2012,NSM 2115,NSI8231,NSI8230,NSM 2117,NSD2621C-DQAGR,NSR33XXX,NSM 2119,NSC9262,NSC9260,NSI6801LC-DDBR,NSI6602VD-Q1SWKR,NSC9264,NSP1830,NSG65N15K-DQAFR,NST112X,NCA1042C-Q1DNR,NCA1042,NCA1042A-Q1DNHR,NSI8220NX,NSI6622A-DSWKR,NSI6801TB-DDBR,NSD1624-DSPKR,NSP1833,NST7719,NSP1831,NSP1832,NSM1052,NSM1053,NSI8222,NSA2860X,NSI8100,NSI8221,NSI8220,NSI6642C-DSPNR,NSM1051,NSI822XC,NSIP8921W1-DSWR,NSI6602MNF-Q1SWTR,NSD11416-Q1STBR,NSI6602VB-Q1SPNR,NCA3491,NSI6642A-DLAR,NSI6602NB-Q1SWKR,NSA2860_TSSOP,NSD1026V,NSI8221CX-DSWR,NSE34050,NSD12416– Q1,NCA1043B-Q1DNKR,NCA1044N-Q1SPR,NSIP8944W1-DSWR,NSPGL1 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Novosense栅极驱动器IC指南
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型号- NSI6801,NSI6601,NSD1015MT-Q1,NSI8601M,NSG65N15K,NS166X2,NSI6651-Q1,NSD1015MT,NSI68515,NSD1624-Q1,NSD1624-XX,NSI6770,NSI66X2V,NSD2017,NSI6602XA-DXXX,NSI6911,NSI6911-Q1,NSI6801M,NSI6602VD,NSI68010-Q1,NSI6611-Q1,NSD2622N,NSD2012N,NSD10151-Q1,NSI6601(XX)C-DXXX,NSD2621X,NSI6601M-Q1,NSI6622V-Q1,NSD2621,NSI6602U-Q1,NSD1015,NSI6601C-DXXX,NSI6602M,NSD1026V,NSI68010,NSI6602N,NSI6601XXC-DXXX,NSI68011,NSI6602V,NSD1624,NSI6801E,NSD1224,NSI6601-Q1,NSI6602V-Q1,NSI6811,NSD1015T,NSI6770-Q1,NS166X2V,NSI6611,NSI6651,NS16651-Q1,NSD1624(XX)-XX,NSI6601M,NSD1624XX-XX,NSI66X2,NSD1026V-Q1,NS16651
纳芯微汽车电子解决方案 助力汽车电动化和智能化发展
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型号- NSL2163X-Q1,NSL23916-Q1,NSI1311,NSI6601,NSI7258,NSR2240X,NPC060N065A,NSL23716X-Q1,NCA8244,NSM2017,NPI040N120A (1200V. 40V),NSM2019,NSM2013,NSI22C11,NSM2015,NSC9260X,NSM2011,NSR33XXX,NSC9262,NSI1300,NSC9264,NSREF31XX,NSI1306,NPS0X0N065A,NSP1830,NSL2161X-Q1,NCA1169,NCA1044,NSR7808,NSOPA240X,NSE11409,NSP1831,NSP1832,NSM2020,NSD8306,NSOPA8XXX,NSD8308,NSI67XX,NS0PA8XXX,NSD1026V,NSR31XXXT,NSE425X,NSE34050,NSL31682-Q1,NSL21912-Q1,NSI6622V,NSPDC1,NSR31XXX,NCA1021S,NSD8310,NSD8312,NSD1624,NPI030N065A,NSR104XX,NCA1043(B),NSD731X,NSI6651,NSD11416,NSI22C12,NCA1051A,NSUC1602,NCA1462,NSD8381,NSD56008,NSM3011,NST17 5-Q1,NSIP2266-Q1,NSPADX,NSM3013,NSM3012,NSI6801,NST60-Q1,NSUC1610,NCA9539,NST175-Q1,NSR7850,NST175,NSM203X,NSIP605X,NSI6911,NSOPA9XXX,NSI824X,NST86-Q1,NSP1631,NSD12409,NSP1632,NSPASX,NSP1630,NSCSA24X,NSM1013,NPI040N120A,NSL23924-Q1,NCA9555,NSI822X,NSA9264,NCA1042B,NSCSA21X,NSD12416,NSPGM2,NSM2117,NSPGM1,NSI6602V,NSD3608,NSM2113,NSM2115,NSR35X,NSD3604,NSL31520-Q1,NSR35XXX,NST20,NSREF30XX,NPC0X0N120A,NSI1200,NS0PA9XXX,NSI6611,NSPAS1,NSPAS3,NST235-Q1,NCA1145,NSE5702,NSI6601M,NSE5701,NSA9260X,NSR114XX,NSR1048,NSM1030
【经验】关于纳芯微隔离放大器NSI1312D-DSPR的负压采样精度偏低问题经验分享
在APF产品母线采样设计过程中，纳芯微电子隔离放大器NSi1312D通过电阻参数测试验证，发现采样的正母线电压精度和理论计算值相近，但是负母线电压采样值偏差比较大，输入负压时变成非线性。基于此关于负压采样精度偏低的经验分享。
纳芯微光储充系统解决方案
描述- 纳芯微电子提供高性能高可靠性模拟及混合信号芯片，专注于传感器、信号链、电源管理三大方向。公司产品广泛应用于汽车、工业、信息通讯及消费电子领域，包括光储充系统解决方案、充电桩解决方案等。纳芯微致力于为数字世界和现实世界的连接提供芯片级解决方案。
型号- NSI6602,NSI6801,NSI1311,NSI6601,NSI1312,NSI824X,NCA854X,NSI1200D25,NSR24XX,NPC040N120,NSI8308X,NSM2019,NSIP83085,NPD0X0N120,NSI68515,NSR2845,NSOP9XXX,NSI1300D25,NSOPA9XXX,NSI1300,NSD1025V,NSREF31XX,NSR2240X,NCA1042,NSR7808,NSIP89XX,NSI8221,NLE8348,NSD7312,NSOPA8XXX,NSI1200D05,NSI6622,NCA824X,NSD731X,NSIP31,NCA1042B,NSI131X,NSI68011,NSI83086,NSM201X,NSI83085,NSR10320,NPD020N120,NST235,NSIP1042,NSR31XXX,NSI1300D05,NSD1624,NPC080N120,NSA8244,NSREF30XX,NSR3X,NSA8245,NSI1200,NSI6611,NSI1042,NSI82XXC,NSI6651,NSR31XX,NSOPA90XX,NCA1051A,NCA3485,NSI6601M,NCA8T245,NSR10430,NSR28QXX,NSIP88XX,NSI82XX,NSI8241,NSI1050
应用笔记 | 纳芯微智能隔离驱动NSI6611的半桥应用和双脉冲测试
纳芯微电子推出的智能高压隔离驱动芯片NSI6611，专为电动汽车电机控制器设计，集成了主动米勒钳位、退饱和检测、欠压保护和软关断等功能，帮助客户打造高性能、高可靠性的电机控制器。本文将从两个层面介绍该产品相关信息：第一部分，NSI6611半桥驱动板；第二部分，基于该驱动板的双脉冲测试。
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有客户在设计伺服驱动器时，采用精密电阻加运放的形式完成对母线电压的采样检测。根据所指出的问题需求，我们推荐纳芯微容隔放大器NSi1311，它的固定增益为1，±0.3%的增益误差，150kv/μs高共模瞬态抗扰度确保电压采样更准确。
NSM2011高精度、基于霍尔效应、具有共模场抑制功能的电流传感器IC，采用5kV高隔离封装数据手册（EN）1.3
描述- NSM2011是一款高精度、基于霍尔效应的电流传感器IC，具有5kV高隔离特性。该产品具有极低的导通电阻（0.85mΩ），有效降低芯片上的热量损失。NOVOSENSE的创新隔离技术和信号调理设计能够在高隔离水平下检测通过内部母线的电流。内部使用差分霍尔对，对外部杂散磁场具有很强的免疫性。NSM2011通过感应芯片下流经母线的电流产生的磁场来间接检测电流。与Shunt+隔离运算放大器的电流采样方法相比，NSM2011消除了对主侧电源的需求，具有简单方便的布局。同时，它具有极高的隔离耐压和寿命稳定性。在高压侧电流监测应用中，NSM2011可以达到1550Vpk的工作电压，并且可以承受10kV浪涌电压和13kA浪涌电流，无需添加任何保护装置。
型号- NSM2011-100B5R-DSWR,NSM2011-30U5R-DSWR,NSM2011-20B3R-DSWR,NSM2011-65B3R-DSWR,NSM2011-20B5R-DSWR,NSM2011-30B5R-DSWR,NSM2011-65B5R-DSWR,NSM2011,NSM2011-50U5R-DSWR,NSM2011-50B5R-DSWR,NSM2011-30B3R-DSWR
纳芯微电子（NOVOSENSE）栅极驱动IC产品选型指南
描述- 栅极驱动芯片（Gate Driver IC）是一种用于控制半导体功率器件（如 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT 等）开关速度和时间的集成电路。
型号- NSI6801,NSI6602M,NSI6601,NSD1015MT-Q1,NSD1026V,NSI6602N,NSI68010,NSI68011,NSG65N15K,NSI6651-Q1,NSI6602V,NSD1015MT,NSI68515,NSD1624-Q1,NSI6770,NSD1624,NSI6801E,NSI66X2V,NSD2017,NSI6602XA-DXXX,NSD1224,NSI6601-Q1,NSI6602V-Q1,NSI6911,NSD1015T,NSI6770-Q1,NSI6611,NSI6911-Q1,NSI6801M,NSI6602VD,NSI6651,NSD1624(XX)-XX,NSI68010-Q1,NSI6601M,NSI6611-Q1,NSD2622N,NSD2012N,NSD10151-Q1,NSI6601(XX)C-DXXX,NSI6601M-Q1,NSI6622V-Q1,NSI66X2,NSD1026V-Q1,NSD2621,NSI6602U-Q1,NSD1015
现货市场
服务
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
可定制变压器电压最高4.5KV，高频30MHz；支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量： 100000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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