【经验】国民技术MCU片内Flash操作指南和注意事项
国民技术MCU的片存储器分为程序存储器、数据存储器、寄存器和输入输出端口被组织在同一个4GB的线性地址空间内，其中程序存储器和数据存储器区域被称为Flash区。
Flash由主存储区、信息区组成，主存储区最大为512KB，包含256个Page，用于用户程序的存放和运行，以及数据存储。信息区为 20KB，包含10个Page，由系统存储区（16KB）、系统配置区（2KB）、选项字节区（2KB）组成。
本文主要讲解片内Flash的操作指南和注意事项，包括Flash的解锁、擦除和编程。
1、 Flash解锁
复位后，Flash模块是被保护的，不能写入FLASH_CTRL寄存器，需要通过写入特定的键值序列到FLASH_KEY寄存器，开启对FLASH_CTRL寄存器的操作权限。调用库函数“FLASH_Unlock();”完成操作。
2、 Flash擦除
擦除可以按页擦除，或者整片擦除。首先检查FLASH_STS寄存器的BUSY位，判断闪存是否空闲，如需页擦除，将FLASH_CTRL寄存器的PER位置“1”，再设置FLASH_ADD寄存器指定要擦除的页；如需整片擦除，将FLASH_CTRL寄存器的MER位置“1”，设置完成后，将FLASH_CTRL寄存器的START 位置“1”，等待操作完成（BUSY位为0），完成擦除。
页擦除可以调用“FLASH_EraseOnePage”库函数实现：
整片擦除可以调用“FLASH_MassErase”库函数实现：
3、 Flash编程
对Flash编程每次可以写入32位，首先检查FLASH_STS寄存器的BUSY位，判断闪存是否空闲，将FLASH_CTRL寄存器的PG位置“1”,在指定的地址写入要编程的字，等待操作完成（BUSY位为0），完成编程。
编程可以使用“FLASH_ProgramWord”库函数实现：
以上步骤讲解了操作Flash的步骤，需要特别注意的是，读Flash时，读的等待周期数是需要通过寄存器配置的，配置要求：当 HCLK<=32MHz时，等待周期数最小为0；当 32MHz<HCLK<=64MHz时，等待周期数最小为 1；当 64MHz<HCLK<=96MHz 时，等待周期数最小为2；当96MHz<HCLK<=128MHz时，等待周期数最小为3；当 128MHz<HCLK<=144MHz时，等待周期数最小为4。
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