【产品】应能微电子针对TWS耳机推出静电二极管AU0521P0，兼顾浪涌和ESD综合防护性能

时间： 2021-11-30 来源：应能微

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TWS耳机在日常使用中频繁的用手触碰对耳，特别是在冬天比较干燥的环境下容易产生静电，影响产品的正常使用，即对于其内部芯片来说，面临着较大的静电考验，需要采取对应的防护措施。

应能微电子针对TWS耳机推出了小尺寸DFN0603-2L（0201）封装的ESD防护器件双向TVS二极管AU0521P0，可放在VBAT/SPK/MIC及POGOPIN等位置，可兼顾浪涌和ESD综合防护性能。在耳机侧，重点防护的位置是 VBAT、GPIO、POGOPIN，硅麦和 DC 电源。与充电仓的标准一样，主流品牌的ESD需要满足接触放电±4KV，空气放电±8KV的要求。部分品牌要求满足接触±6KV，空气±12KV的高等级静电防护要求。这对于超小尺寸的耳机设计提出了很大的挑战。

应能微电子推出的ESD防护器件AU0521P0，采用DFN0603-2L小尺寸封装，具备较低的钳位电压，配合结构、电容、磁珠及 layout 的处理，可以迎接各种静电挑战。

AU0521P0结构：

AU0521P0静电二极管的规格参数信息：

1、封装：DFN0603-2L

2、电压：Vrwm-5V

3、击穿电压：Vbr-6V

4、容值：20pf

5、功率：80W

6、钳位电压与峰值电流：Vc/Ipp-12.5V/8A

7、IEC61000-4-2（ESD）-±30KV（Air）/±30KV（contact）

8、IEC61000-4-4（EFT）-40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（Lightning）-8A（8/20μs）

具体参数信息如下：

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WilberTse Lv6. 高级专家 2021-12-15

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AR3341P0S低电容双向TVS二极管

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高特ESD防护器件产品介绍

高特半导体/高特微电子,成立于2012年，是一家专注于线路保护类器件和绿色能源方案的设计研发、生产及营销于一体的国家高新技术企业。产品涵盖ESD防护器件，极快恢复二极体，低正向肖特基二极体等产品，广泛应用于汽车电子，网络通讯，安防工控，智能终端及消费类电子产品等领域。

高特 - ESD防护器件,静电防护器件,LESD3Z5.0C,ESD5ZXXX,GESD0522P,GSD4V5TC,GSD5ZXXX,GESD0502TL,GESD0504TL,GESD0301PBC,GSMXXC,GSD15C,GBLCXXCI,GSDXXC SERIES,GESD0502BN,GESD5B5CL,GESD0801PB,GSMXX SERIES,GSMXX,GSDXXC,GSD12C,GSD12DFMC,GSD20C,GSR05LC,GESD0301BU,GESD0508P,ESD5ZXXXSERIES,GESD0502T5L,LESD5Z5.0C-H,GSD8DXXX SERIES,GSD18DFJC,GSD8DXXX,GESD0524P,GESD05D6BU,GSDXX,GESD0504F,GESD0301CM,LESD5Z5.0C,GESD05D6BN,GSD5ZXXXSERIES,GESD3324P,GESD03D6BN,GSMXXC SERIES,GSDXX SERIES,GESD03D6BU,GESD0501BU,GSD4V5S,GESD5Z36,GESD8D36V,GESD0524SP,GESD0501CM,GSD18C,智能农业,智能仪表,智能支付,快充电源,无线物联网终端设备,TWS耳机,智能穿戴,电脑,电竞设备,智能家居,智能医疗,智能穿戴设备,显示屏,电视

2022/1/24 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

【选型】TWS耳机天线ESD防护推荐国产ESD保护二极管，结电容典型值仅0.35pF

TWS耳机的天线端很容易产生静电，本文推荐矽航的低结电容ESD保护二极管XE2XUC5VB，最大反向工作电压5V，IEC61000-4-2高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护等级，并根据IEC61000-4-5承受高达5A（8/20μs）的峰值脉冲电流，DFN0603-2L小型封装，典型结电容0.35pF。

2021-01-09 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

AU3341P1单线双向TVS二极管

AU3341P1是一款双向TVS二极管，采用先进的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，适用于保护敏感数据和电源线。

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2023/1/11 - 数据手册 - Revision_1.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

AU1211P1单线双向TVS二极管

该资料介绍了AU1211P1双向TVS二极管，这是一种12V的双向瞬态电压抑制二极管。它采用先进的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压，适用于保护敏感数据和电源线路。符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，具有±30 kV空气放电和±30 kV接触放电能力。该器件封装在超小型无铅DFN1006-2封装中，适用于手机、数码相机、音频播放器等多种便携式设备。

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2022/11/28 - 数据手册 - Revision: 1.0 代理服务技术支持采购服务

AR3341P1SC低电容双向TVS二极管

AR3341P1SC是一款双向TVS二极管，采用先进的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件具有低电容（典型值为0.45pF）并符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，适用于保护高速数据线。

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2023/11/13 - 数据手册 - Revision_1.0 代理服务技术支持采购服务

AR0811P6低电容双向TVS二极管

AR0811P6是一款双向TVS二极管，采用先进的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件具有超低电容（典型值为0.4pF）并符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，适用于保护高速数据线。

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2023/5/10 - 数据手册 - Revision_1.0 代理服务技术支持采购服务

AU0541D3单线双向TVS二极管

该资料介绍了AU0541D3双向TVS二极管，这是一种利用先进单晶硅技术提供快速响应时间和低ESD钳位电压的二极管。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，具有±30 kV空气和±30 kV接触放电能力。采用超小型SOD-323无铅封装，适用于保护手机、数码相机、音频播放器等多种便携式设备的数据和电源线。

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2022/11/22 - 数据手册 - Revision_1.1 代理服务技术支持采购服务