【应用】氮化镓场效应晶体管和IC助力数据中心的AC/DC转换，实现比硅器件更高的功率和可靠性

时间： 2023-04-02 来源：EPC官网

技术问答

云计算、可穿戴设备、机器学习、自动驾驶和物联网等应用的扩展实现了更加数据密集的世界、对数据中心的需求更大和功耗随之而增加。交流到直流的开关电源的效率、功率密度和成本非常重要，从而推动了对GaN FET解决方案的需求，以实现具有超高效率的PFC前端整流器解决方案。

由于Titanium 80+的效率要求加速了要求最高功率密度的发展趋势，因此面向数据中心供电的图腾柱PFC逐渐普遍。氮化镓技术的快速开关在不影响PFC设计效率的情况下提高了功率密度。

氮化镓场效应晶体管和IC还能提高DC/DC转换400 V总线电压为48 V或12 V的效率且缩小尺寸。在次级侧、同步整流电路中，氮化镓场效应晶体管可以提供更低的栅极驱动和传导损耗、零反向恢复（Q_RR）、更高的开关频率，并且尺寸仅为MOSFET解决方案的1/15。氮化镓场效应晶体管的并联能力比硅的同类产品更好，以实现更高的功率和可靠性。氮化镓场效应晶体管和氮化镓IC还具有出色的热性能。

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