BASiC Semiconductor Launched Pcore™6 – Automotive 3-Phase Full-bridge SiC MOSFET Module for New Energy Vehicles
The automotive 3-phase Full-bridge SiC MOSFET Module Pcore™6 is designed and launched by BASiC Semiconductor based on the high-performance and high-efficiency requirements of power modules for core traction drivers from automobile manufacturers.
Part Number
Part Number
The product utilizes a standard package in an advanced press-type silver sintering connection process inside the power module with high-density copper wire bonding technology. The Pcore™6 series modules manufactured can effectively curb the temperature rise of the power device when being used in the main drive electronic controller and fuel cell energy management systems in electric vehicles, thereby increasing the output current by more than 10% under the same chip temperature.
Product Features
Trench-type, low RDS(on) SiC MOSFET chip
Double-sided press-type silver sintering
Nanosilver dielectric layer with high thermal conductivity
High-density copper wire bonding technology
Die Top System (DTS) technology
Enhanced PinFin heatsinking structure
Fast dynamic response
Advantages
Parts lifetime extended by 5 times
System output capability improved by 10%
High power density
High blocking voltage
Low on-state resistance
Low switching loss
High reliability
Applications
New Energy Vehicles
Power drive systems for electric vehicles, railway, aircraft, submarine vehicles, etc.
Fuel cell power systems
Electric propulsion systems for mobile devices
Parameter List
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky转载自BASiC Semiconductor News，原文标题为:Product Info | Pcore™6 – Automotive 3-Phase Full-bridge SiC MOSFET Module for New Energy Vehicles，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】采用标准HPD封装的汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6，提高系统输出电流能力10%
汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6是基本半导体基于广大汽车厂商对核心牵引驱动器功率器件的高性能、高效率等需求设计并推出的产品。该产品采用标准HPD封装，并在功率模块内部引入了先进的有压型银烧结连接工艺，以及高密度铜线键合技术。
BASiC Semiconductor Launched Pcore™2 - Automotive Half-bridge SiC MOSFET Modules for Large-scale Vehicle Applications
The Automotive Half-bridge SiC MOSFET Module Pcore™2 is developed and launched by BASiC Semiconductor specially as power devices in the main traction drives, it features high power density and long service life in large-scale vehicle applications, such as electric cars.
【产品】1200V/42A的SiC MOSFET B1M080120HC，可用于开关电源（SMPS）等应用
基本半导体推出的SiC MOSFET ——B1M080120HC，漏源电压最大的额定值为1200V，连续漏极电流最大额定值为42A，耗散功率最大的额定值仅295W，可应用于开关电源（SMPS）、功率逆变器和太阳能逆变器、电机驱动器和EV充电站以及DC/DC转换器等领域。
基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南
描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1
B2M040120Z碳化硅MOSFET
描述- 本资料介绍了B2M040120Z型号的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性、典型性能和应用领域。该器件具有低导通电阻、高阻断电压、低电容等特点，适用于开关电源、逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站等领域。
型号- B2M040120Z
【元件】基本半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级认证，全力推进新能源汽车高效应用
近日，基本半导体自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证，产品性能和可靠性满足汽车电子元器件在极端环境下的严苛要求，至此公司获车规级认证的碳化硅功率器件产品家族再添一员。
B2M065120T SiC MOSFET
描述- 本资料详细介绍了B2M065120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高功率密度和低热沉要求。
型号- B2M065120T
B2M160120R SiC MOSFET
描述- 该资料介绍了B2M160120R型号的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、规格和应用。它具有低导通电阻和高阻断电压的特点，适用于高频操作，提高功率密度并减少散热器需求。资料涵盖了最大额定值、电气特性、热特性、开关特性和典型性能数据。
型号- B2M160120R
B2M600170H碳化硅MOSFET
描述- 该资料详细介绍了B2M600170H型号的1700V SiC MOSFET的特性、应用领域和关键参数。资料涵盖了产品的最大额定值、电气特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。
型号- B2M600170H
B2M040120T SiC MOSFET
描述- 本资料详细介绍了B2M040120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高阻断电压、低导通电阻和低电容等特点，适用于开关电源、微逆变器、太阳能逆变器、电机驱动器、DC/DC转换器和OBC等领域。
型号- B2M040120T
BTD5350单通道隔离式栅极驱动器
描述- BTD5350是一款单通道隔离栅极驱动器，具有高达10A的峰值输出电流，支持隔离电压最高可达5000Vrms。该产品适用于驱动IGBT和Si/SiC MOSFET，具有多种特性选项，包括米勒钳位、分输出和UVLO功能。BTD5350支持3.3V、5V和15V输入电压，并提供SOP-8和SOW-8封装选项。
型号- BTD5350 FAMILY,BTD5350SBWR,BTD5350,BTD5350SCWR,BTD5350EBPR,BTD5350XBX,BTD5350ECPR,BTD5350XCX,BTD5350M,BTD5350SBPR,BTD5350X,BTD5350MBWR,BTD5350SCPR,BTD5350ECWR,BTD5350S,BTD5350EBWR,BTD5350MCWR,BTD5350MBPR,BTD5350MCPR,BTD5350MX,BTD5350X SERIES,BTD5350SX,BTD5350EX,BTD5350E
采用嵌入式SiC SBD的B2M030120N SiC MOSFET
描述- 该资料详细介绍了B2M030120N型碳化硅MOSFET的特性，包括其电气特性、热特性、封装参数、开关特性等。该产品具有高阻断电压、低导通电阻、内置碳化硅二极管等特性，适用于开关电源、逆变器、电机驱动器、高压DC/DC转换器等领域。
型号- B2M030120N
B2M065120H SiC MOSFET
描述- 本资料介绍了B2M065120H型号的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性、开关特性、反向二极管特性和典型性能。该器件适用于高频操作，具有低导通电阻和高阻断电压等特点。
型号- B2M065120H
BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模块
描述- 该资料介绍了BASiC Semiconductor Ltd.生产的BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模块，这是一种1200V SiC MOSFET模块，适用于高频转换器、逆变器、DC-DC转换器、电动汽车充电器、不间断电源系统和太阳能应用。
型号- BMF240R12E2G3
电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论