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铨力半导体(All Power)功率MOSFET选型指南
目录- MOS/IGBT
型号- AP2302B,AP9435,APG060N85,AP90N03Q,AP3415E,AP10N10S,AP90N04G,AP2055K,AP4008QD,AP20N06T,AP90N04K,AP150N03Q,APG078N07K,APG011N04G,AP1310K,AP2003,AP150N03G,AP3404S,AP4407C,AP4410,AP4910GD,AP50N04QD,AP80P04K,AP3908QD,AP2N7002,AP30H80Q,AP200N04D,AP2020G,AP9565K,AP3205,AP30H80K,AP30H80G,AP20N100Q,AP8205,AP40P04K,AP4013S,APG080N06G-AU,APG042N01D,AP4008SD,APG180N01GD,AP4407,AP2301B,AP33N10,AP40P05,AP30P06K,AP90N04Q,AP50N06,AP25P30Q,AP1002,AP2333,AP40P04G,AP2335,AP3401S,AP0903Q,AP3010,AP50N04Q,AP30P06G,APG038N01G,APG046N01G,AP0903G,AP50N04K,AP8810,AP2714QD,AP3003,APG068N04G,APC65R360M,AP3400A,AP120N04K,AP2310S,AP55N03K,APG068N04Q,APG078N07,AP30H220G,AP7N10K,AP90P03Q,AP50P20Q,APG024N04G,AP180N03G,AP15N10K,APG077N01G,AP50P20K,APC65R190FM,AP200N04,AP90N03GD,APG035N04Q,AP25P06K,AP2012,AP2714SD,AP30H180K,AP1605,AP90P03K,APG035N04G,AP1606,AP8205A,AP90P03G,APC65R360FM,AP4435,AP40N100KL,AP4438,APG045N85,AP40T120WH,AP1310,AP2N65K,AP60P20Q,AP2716QD,AP60P20K,AP25N06K,AP4688S,APG042N01,APG060N12,AP12N10S,APG013N04G,AP50P03K,AP2317QD,AP30H100KA,AP4812,AP2080Q,APG095N01,AP2080K,AP20P30S,AP2012S,APG095N01K,AP20P30Q,AP2080G,AP60N04G,APG095N01G,APC65R041WMF,AP50N06K,APP50N06,AP040N03G,AP3004S,APG060N85D,AP3020,AP70P03K,AP2716SD,AP3908GD,AP60N04Q,AP6007S,AP4946S,AP40N100K,AP18N20,AP3912GD,AP30H50Q,AP4813K,AP0803QD,AP9926,AP6242,AP3407S,APG070N12G,AP4606B,AP30N03K,AP2022S,AP3100A,AP75N04K,AP80N06T,APG4015G,AP85N04Q,AP2035G,AP6802,AP85N04K,AP6800,AP2318A,APG050N85,APG250N01Q,AP85N04G,AP3416,AP120N03,AP5N20K,AP30H150G,AP2310,AP30H150K,AP6009S,AP2035Q,APG060N12D,APG022N06G,AP2312,AP3402,AP30H60K,AP3400,AP3401,AP2316,AP4616,AP15P03Q,AP3407,AP3404,AP2317,AP4822QD,APG050N85D,APC65R600KM,AP2020K,AP80N04Q,AP30H150KA,AP2045K,AP30H150Q,AP30P06,AP2045G,AP2301,AP0903GD,AP2300,AP68N06G,AP6900,AP2305,AP4847,AP4606,AP4846,AP5N10M,AP4P20,APC60R030WMF,AP9N20K,AP80N04G,AP5N10S,AP2045Q,AP2317SD,AP3910GD,APG082N01,APG011N03G,AP4409S,AP4953,AP2317A,AP30P30S,AP3065SD,AP30P30Q
铨力半导体Trench MOS选型表
铨力半导体提供如下参数的Trench MOS:先进的沟槽技术,出色的RDS(on)和低栅极电荷, VGS (V)跨度达±20,多种封装形式SOT23-3/SOT23-6/SOP-8等
产品型号
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品类
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Package Type
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Configuration
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MOSFET Type
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VDS (V)
|
VGS (V)
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Vth (V)
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
|
45/52
|
52/67
|
-
|
2
|
-
|
选型表 - 铨力半导体 立即选型
FSN4481S PDFN5X6-8L P 沟道增强型场效应管(FSN4481S PDFN5X6-8L P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
描述- 富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FSN4481S是一款沟道增强型MOS场效应管,具有低导通电阻和适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域的特性。
型号- FSN4481S
导通电阻46mΩ的P沟道低压MOS管SL4459,电感电压低至4.5V,非常适合负载开关或PWM应用
本文要介绍的是SLKOR低压MOS管SL4459,采用了先进的微处理器技术,为各种应用提供了卓越的性能,特点包括出色的Ron(导通电阻)、低电感以及低至4.5V的电感电压。这些特性使得该器件非常适合负载开关或PWM(脉宽调制)应用。
BRCS150P04DSC数据表
描述- 该资料为BRCS150P04DSC型双P沟道MOS场效应管的数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、极限参数、电性能参数、应用领域、封装尺寸、标记说明、回流焊温度曲线图、耐焊接热试验条件以及包装规格。
型号- BRCS150P04DSC
采用SOT23-3塑料封装的BRCS3401MC P沟道MOSFET
描述- 该资料是一份关于BRCS3401MC型MOS场效应管的详细数据手册。它提供了产品的基本描述、特性、应用范围、电性能参数、极限参数、封装尺寸、标记说明、焊接温度曲线图以及包装规格等信息。
型号- BRCS3401MC
BRCS4612SCQ产品介绍
描述- 本数据手册详细介绍了BRCS4612SCQ这款SOP-8封装的互补增强模式MOS场效应管。该器件具备N沟道和P沟道的特性,适用于高效率开关DC/DC转换器和开关电源,特别适合作为负载开关或PWM应用,满足汽车应用的严格标准。
型号- BRCS4612SCQ
BRCS070P03YB数据表
描述- 本数据手册详细介绍了BRCS070P03YB P沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的技术规格和应用。该器件采用PDFN 3×3A-8L塑料封装,适用于笔记本AC输入负载开关和电池保护充电/放电等功能。
型号- BRCS070P03YB
MOS管FDN336P具有-0.7V的阈值电压,常用于高效小型负载开关和功率管理应用
FDN336P是一款由萨科微(Slkor)生产的P沟道MOS场效应管,专为负载开关和功率管理应用而设计。它具有紧凑的SOT-23封装和低阈值电压,使其适用于各种小型电子设备。首先,FDN336P的主要特点之一是负载开关应用。这意味着它可以用于控制电路中的负载开关,例如打开和关闭电源或其他电子设备。由于其设计用于负载开关,它具有较低的导通电阻和较高的漏极电流能力,可以有效地传输电力。
BRCS4620SC数据表
描述- 本资料介绍了BRCS4620SC是一款SOP-8塑封封装的互补增强模式MOS场效应管。该器件具有N沟道和P沟道两种类型,适用于高效率开关DC/DC转换器和开关电源。其主要特点是低导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能。
型号- BRCS4620SC
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服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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