【经验】瑞萨RH850/F1L系列车规级MCU retention ram开发经验
瑞萨(RENESAS)RH850/F1L系列车规级MCU在汽车电子领域应用广泛,32nm低功耗工艺是汽车电子的一个重要保障,其拥有丰富的车载通讯资源,可用于对集成度要求较高的BCM,以及对通讯接口数量有要求的网关类产品。本文介绍瑞萨RH850/F1L芯片R7F7010323的retention ram使用时注意事项。
瑞萨R7F7010323内部支持64K普通RAM,以及32K retention ram,均可用于存储变量数据。普通RAM在MCU进入休眠时数据不保持,而retention ram在MCU休眠时数据仍能保持。
1、retention ram在使用时访问速率会低于普通RAM,因此在不用作掉电保存数据存储时,优先使用普通RAM来存储数据,其读写差异如下图1所示:
图1 RAM读写速率差异
2、retention ram在使用时也需要进行初始化动作,但如果是休眠唤醒需要保存的数据,则需要进行判断,如果是休眠唤醒,则不进行RAM的初始化动作。
3、retension ram在芯片上电复位的电压仍能保持工作,只有当其电压下降到VLVI以下时,才会丢失数据。
综上所述,瑞萨R7F7010323芯片可以使用retension ram在休眠状态保存数据。只要芯片不掉电,则数据不会丢失。
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