【经验】瑞萨RH850/F1L系列车规级MCU retention ram开发经验

时间： 2023-04-01 来源：世强

瑞萨（RENESAS）RH850/F1L系列车规级MCU在汽车电子领域应用广泛，32nm低功耗工艺是汽车电子的一个重要保障，其拥有丰富的车载通讯资源，可用于对集成度要求较高的BCM，以及对通讯接口数量有要求的网关类产品。本文介绍瑞萨RH850/F1L芯片R7F7010323的retention ram使用时注意事项。

瑞萨R7F7010323内部支持64K普通RAM，以及32K retention ram,均可用于存储变量数据。普通RAM在MCU进入休眠时数据不保持，而retention ram在MCU休眠时数据仍能保持。

1、retention ram在使用时访问速率会低于普通RAM，因此在不用作掉电保存数据存储时，优先使用普通RAM来存储数据，其读写差异如下图1所示：

图1 RAM读写速率差异

2、retention ram在使用时也需要进行初始化动作，但如果是休眠唤醒需要保存的数据，则需要进行判断，如果是休眠唤醒，则不进行RAM的初始化动作。

3、retension ram在芯片上电复位的电压仍能保持工作，只有当其电压下降到VLVI以下时，才会丢失数据。

综上所述，瑞萨R7F7010323芯片可以使用retension ram在休眠状态保存数据。只要芯片不掉电，则数据不会丢失。

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