【产品】低压P通道增强型场效应晶体管YJS4409A，可实现高速切换
YJS4409A为扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管，采用沟槽功率低压MOSFET技术，漏源电压-30V，漏极电流-18A（@TA=25°C、稳态），适用于低漏源电压的场景。采用高密度单元设计，可实现低RDS（ON），最大值不超过5.5mΩ（@VGS= -20V, ID=-18A），启动延迟时间典型值仅为16ns（@ VGS=-10V,VDD=-15V, ID=-1A, RGEN=2.5Ω），反向恢复时间典型值仅为20ns，具有高速切换优势。YJS4409A非常适用于电池保护、电源管理、负载开关等相关应用。
图1 YJS4409A封装及电路图
YJS4409A特点：
沟槽功率低压MOSFET技术
高密度单元设计，具有低RDS（ON）
高速切换
YJS4409A应用：
电池保护
电源管理
负载开关
YJS4409A订购信息：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本文由两斤樱桃翻译自扬杰科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】100V漏源电压的P通道增强型场效应晶体管YJQ15GP10A，适用于DC-DC转换器和电源管理功能
YJQ15GP10A是扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管，采用分栅沟槽MOSFET技术，已100%通过UIS（非钳位感性负载开关过程）和▽VDS测试，具有低RDS（ON）、良好散热封装等优势，非常适用于DC-DC转换器和电源管理功能等相关应用。
【产品】启动延迟时间低至8ns的P通道增强型场效应晶体管YJG40P03A，漏源电压-30V
YJG40P03A为扬杰科技推出的P通道增强型场效应晶体管，采用沟槽功率低压MOSFET技术，具有低RDS（ON）和高速切换优势，非常适用于电池保护、电源管理、负载开关等相关应用。
【产品】工作电压30V，漏极电流45A的P沟道增强型场效应管，适用负载开关应用
扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管YJD45P03A，已100%通过UIS（非嵌位感性负载开关过程）和▽VDS测试，非常适用于电池保护、电源管理、负载开关等相关应用。
WPM9435 P沟道增强型MOSFET
描述- WPM9435是一款高密度设计的P-Channel增强型MOSFET，采用DMOS沟槽技术制造。该器件具有极低的导通电阻，适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和电池供电电路中的高压侧开关。
型号- WPM9435,WPM9435-8/TR
RZC2317-20V P沟道MOSFET
描述- RZC2317是一款-20V P-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高密度工艺制造，旨在降低导通电阻。该器件适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路中的高边开关。
型号- RZC2317
CS13RP03M -30V/-12A P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (CS13RP03M -30V/-12A P-Channel Enhancement Mode MOSFET)
描述- 该资料介绍了ChipNobo Co., Ltd生产的CS13RP03M型号的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有低导通电阻、-5V逻辑电平控制等特点，适用于负载开关、开关电路和PWM应用。
型号- CS13RP03M
WPM4803 P沟道增强型MOSFET
描述- WPM4803是一款双通道P沟道增强型功率场效应晶体管，采用高密度DMOS trench技术制造。该器件特别适用于低电压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
型号- WPM4803-8/TR,WPM4803
【产品】60V/0.17A的P沟道增强型场效应晶体管BSS84W，总栅极电荷仅为1.77nC
BSS84W是扬杰科技推出的P通道增强型场效应晶体管，采用沟槽功率低压MOSFET技术，非常适用于视频监控和电源管理等相关领域。
C3409-Q -30V/-2.8A P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (C3409-Q -30V/-2.8A P-Channel Enhancement Mode MOSFET)
描述- 该资料介绍了ChipNobo Co., Ltd生产的C3409-Q型号的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该产品具有低导通电阻、-5V逻辑电平控制等特点，适用于负载开关、开关电路、高速线路驱动器和电源管理等应用。
型号- C3409-Q
C3407 -30V/-4.2A P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (C3407 -30V/-4.2A P-Channel Enhancement Mode MOSFET)
描述- 该资料介绍了ChipNobo Co., Ltd生产的C3407型号P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有低导通电阻、-5V逻辑电平控制等特点，适用于负载开关、开关电路和高速度线路驱动器等应用。
型号- C3407
【选型】国产N/P通道增强型场效应晶体管兼容SM2221CSQG用于智能腕表，14ns低延时可快速切换
某客户在智能腕表的保护板电路设计中，主要采用锂电池保护芯片和MOS管来实现充放电时的过电流检测与电流控制。客户原产品采用了SM2221CSQG的复合MOS，希望推荐其他型号作为备选对比，综合评估，本文推荐一款长晶科技CJMNP517，内置互补N/P通道增强型场效应晶体管。
C3409 -30V/-2.8A P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (C3409 -30V/-2.8A P-Channel Enhancement Mode MOSFET)
描述- 该资料介绍了ChipNobo Co., Ltd生产的C3409型号P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有低导通电阻、-5V逻辑电平控制等特点，适用于负载开关、开关电路和高速度线路驱动器等领域。
型号- C3409
AO4953双P沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了型号为AO4953的双通道增强型场效应晶体管。该器件具有低导通电阻、低栅极电荷等特点，适用于负载开关或PWM应用。资料提供了详细的电学特性、热特性、机械尺寸和封装信息。
型号- AO4953
CMP3007F5 P沟道30V（D-S）功率MOSFET
描述- 该资料介绍了CMP3007F5型P沟道增强型功率场效应晶体管（Power MOSFET）。该器件采用高密度栅极设计，具有低导通电阻和优化的开关性能。适用于电池管理、电源管理和负载切换等领域。
型号- CMP3007F5
C2309 -60V/-2A P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (C2309 -60V/-2A P-Channel Enhancement Mode MOSFET)
描述- 该资料介绍了ChipNobo Co., Ltd生产的C2309型号的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有低导通电阻、-5V逻辑电平控制等特点，适用于负载开关、开关电路、高速线路驱动器和电源管理等应用。
型号- C2309
电子商城
现货市场
服务
提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论