【产品】低压P通道增强型场效应晶体管​YJS4409A,可实现高速切换

2021-01-28 扬杰科技
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YJS4409A扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管,采用沟槽功率低压MOSFET技术,漏源电压-30V,漏极电流-18A(@TA=25°C、稳态),适用于低漏源电压的场景。采用高密度单元设计,可实现低RDS(ON),最大值不超过5.5mΩ(@VGS= -20V, ID=-18A),启动延迟时间典型值仅为16ns(@ VGS=-10V,VDD=-15V, ID=-1A, RGEN=2.5Ω),反向恢复时间典型值仅为20ns,具有高速切换优势。YJS4409A非常适用于电池保护、电源管理、负载开关等相关应用。

图1  YJS4409A封装及电路图


YJS4409A特点:

沟槽功率低压MOSFET技术

高密度单元设计,具有低RDS(ON)

高速切换


YJS4409A应用:

电池保护

电源管理

负载开关


YJS4409A订购信息:


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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  • ACE Lv8. 研究员 2021-01-29
    学习了
  • 好运常伴吾 Lv8. 研究员 2021-01-28
    学习
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