【产品】650 V超结功率MOSFET TPU65R600M，根据SJ原理设计，符合RoHS标准
无锡紫光微电子推出的超结功率MOSFET TPU65R600M，超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的一项革命性技术。 SJ MOSFET是一款性价比最佳的产品，由无锡Unigroup Microelectronics公司设计，能够针对消费和照明市场中对成本敏感的应用提供支持。
图1 封装形式和内部电路
特征
●极低的FOM RDS（on）×Qg
●经过100％雪崩测试
●符合RoHS标准
应用
●开关电源（SMPS）
●不间断电源（UPS）
●功率因数校正（PFC）
订购信息
关键性能参数
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无锡紫光微SJ-MOSFET管选型表
无锡紫光微提供SJ-MOSFET管的参数选型，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ：15.6~2000，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max：18~2200。
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产品型号
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品类
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Product State
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封装形式
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max
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BVdss（V） min
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BVdss（V） typ
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ID（A）
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Vth（V）min
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Vth（V）max
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应用建议
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TPW120R800A
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SJ-MOSFET
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M
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TO-247
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640
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800
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1200
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1320
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12
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2.5
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4
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辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
无锡紫光微MOS选型表
无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型
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产品型号
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品类
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Package
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BVdss(V)
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ID(A)Tc=25℃
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Vth(V)min
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Vth(V)max
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Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
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Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
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TPW50R060C
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Super Junction MOSFET
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TO-247
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500
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47
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2.5
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4
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0.043
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0.06
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
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