【技术】MOSFET常见的八种失效原因和解决方法

2023-06-09 华轩阳电子 MOSFET公众号
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MOSFET在使用过程中,可能会出现各种失效情况,须了解各种失效原因及其解决方法。以下是华轩阳电子常见的八种电子元器件失效情况及对应解决方法。


雪崩失效:当电压过高时,会导致漏源间击穿,使得元器件发生雪崩失效。为了避免这种情况的发生,可以通过降低电压、设计吸收电路或选择合适的栅极电阻来解决。


SOA失效:如果超出安全工作区,就会导致过流、过热、热击穿等问题,造成SOA失效。为了避免这种情况的发生,需要保证功率限制条件、设计过流保护功能,以及增加散热器或风扇等措施。


二极管失效:寄生二极管破坏会导致续流问题,为了解决这个问题,可以选择快速体二极管特性的MOSFET,或者串联两个背靠背的MOSFET。


谐振失效:栅极和电路寄生参数引起的震荡会导致谐振失效问题。为了避免这种情况的发生,可以插入栅极电阻、采用同步驱动或平衡驱动方式等方法。


静电失效:人体或设备静电损坏器件是常见的静电失效原因,要避免这种情况的发生,需要采取防静电措施,增加接地线或金属网等。


栅极击穿:栅极电压过高会导致栅极与衬底反向击穿,造成栅极击穿失效。为了避免这种情况的发生,可以限制栅极电压,或者串联限流电阻来解决。


漏极击穿:漏极电压过高会导致漏极与衬底反向击穿,造成漏极击穿失效。为了避免这种情况的发生,可以限制漏极电压,或者串联限流电阻等方法。


热失控:温度升高会导致沟道电阻降低,形成正反馈循环,从而造成热失控。为了避免这种情况的发生,可以增加散热措施、减小工作电流和功率等方法。


总之,在设计和使用电子元器件时,须对各种失效原因和解决方法有认识和了解,以避免出现损坏或安全问题。

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